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當(dāng)前位置：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>ga200hs60s1pbf 更新時(shí)間:2025-08-23 08:35:52

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ga200hs60s1pbf中文資料

  • Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封裝且具有 75A～200A 高額定電流的新系列半橋 600V 及 1200V IGBT 模塊

    日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同 igbt 技術(shù)。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (pt) igbt 技術(shù)，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可實(shí)現(xiàn)更緊參數(shù)分布及高效率的第 4 代技術(shù)。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模塊采用第 5 代非穿通 (npt) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 10μs 短路功能的額外優(yōu)勢(shì)。 其中g(shù)a100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是專為高達(dá) 1khz 硬開關(guān)工作頻率而進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)速度器件；其他六個(gè) igbt 是與用于橋配置的 hexfred? 超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管共同封裝的超快速模塊，這些超快速器件可在硬開關(guān)中實(shí)現(xiàn) 8khz～60khz 的高工作頻率，在共振模式下可實(shí)現(xiàn) 200khz 以上的工作頻率。 vishay 此次推出的全新 igbt 系列具有 75a～200a 的高額定電流及低功耗，該系列器件專為高頻工業(yè)焊接、ups、smps、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的隔離與非隔離轉(zhuǎn)換器

  • Vishay發(fā)布新系列半橋IGBT模塊，包含八個(gè)600V及1200V器件

    vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)int-a-pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管(igbt)。該系列由八個(gè)600v及1200v器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。 日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同igbt技術(shù)。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用標(biāo)準(zhǔn)穿通(pt) igbt技術(shù)，而ga200ts60upbf，ga75ts120upbf及ga100ts120upbf器件采用可實(shí)現(xiàn)更緊參數(shù)分布及高效率的第4代技術(shù)。 gb100ts60npbf，gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模塊采用第5代非穿通(npt)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)10μs短路功能的額外優(yōu)勢(shì)。 該ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是專為高達(dá)1khz硬開關(guān)工作頻率而優(yōu)化的標(biāo)準(zhǔn)速度器件。其他六個(gè)igbt是與用于橋配置的hexfred超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管共同封裝的超快速模塊。這些超快速器件可在硬開關(guān)中實(shí)現(xiàn)8khz～60khz的高工作頻率，在共振模式下可實(shí)現(xiàn)200khz以上的工作頻率。 vishay新型igbt系列

  • Vishay 推出新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)

    日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代號(hào)：vsh）宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) int-a-pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (igbt)。該系列由八個(gè) 600v 及 1200v 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。 日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同 igbt 技術(shù)。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (pt) igbt 技術(shù)，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf 及 ga100ts120upbf器件采用可實(shí)現(xiàn)更緊參數(shù)分布及高效率的第 4 代技術(shù)。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf 及gb200ts60npbf 模塊采用第 5 代非穿通 (npt) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 10µs 短路功能的額外優(yōu)勢(shì)。 其中g(shù)a100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是專為高達(dá) 1khz 硬開關(guān)工作頻率而進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)速度器件；其他六個(gè) igbt 是與用于橋配置的 hexfred® 超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管

  • Vishay推出采用Int-A-Pak封裝具有75A～200A高額定電流新系列半橋600V及1200V IGBT模塊

    日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) int-a-pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (igbt)。該系列由八個(gè) 600v 及 1200v 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。 日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同 igbt 技術(shù)。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (pt) igbt 技術(shù)，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf 及 ga100ts120upbf器件采用可實(shí)現(xiàn)更緊參數(shù)分布及高效率的第 4 代技術(shù)。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf 及gb200ts60npbf 模塊采用第 5 代非穿通 (npt) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 10µs 短路功能的額外優(yōu)勢(shì)。 其中g(shù)a100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是專為高達(dá) 1khz 硬開關(guān)工作頻率而進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)速度器件；其他六個(gè) igbt 是與用于橋配置的 hexfred® 超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管共同封裝的超快速模塊，這些超快

  • Vishay發(fā)布新系列半橋IGBT模塊，包含八個(gè)600V及1200V器件

    vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)int-a-pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管(igbt)。該系列由八個(gè)600v及1200v器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。 日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同igbt技術(shù)。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用標(biāo)準(zhǔn)穿通(pt) igbt技術(shù)，而ga200ts60upbf，ga75ts120upbf及ga100ts120upbf器件采用可實(shí)現(xiàn)更緊參數(shù)分布及高效率的第4代技術(shù)。 gb100ts60npbf，gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模塊采用第5代非穿通(npt)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)10μs短路功能的額外優(yōu)勢(shì)。 該ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是專為高達(dá)1khz硬開關(guān)工作頻率而優(yōu)化的標(biāo)準(zhǔn)速度器件。其他六個(gè)igbt是與用于橋配置的hexfred超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管共同封裝的超快速模塊。這些超快速器件可在硬開關(guān)中實(shí)現(xiàn)8khz～60khz的高工作頻率，在共振模式下可實(shí)現(xiàn)200khz以上的工作頻率。 vishay新型igbt系列

  • Vishay推出新系列半橋600V及1200V IGBT模塊

    vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) int-a-pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (igbt)。該系列由八個(gè) 600v 及 1200v 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。 日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同 igbt 技術(shù)。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (pt) igbt 技術(shù)，而ga200ts60upbf, ga75ts120upbf, 及ga100ts120upbf器件采用可實(shí)現(xiàn)更緊參數(shù)分布及高效率的第 4 代技術(shù)。gb100ts60npbf,gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模塊采用第 5 代非穿通 (npt) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 10μs 短路功能的額外優(yōu)勢(shì)。 該ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是專為高達(dá) 1khz 硬開關(guān)工作頻率而優(yōu)化的標(biāo)準(zhǔn)速度器件。其他六個(gè) igbt 是與用于橋配置的 hexfred超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管共同封裝的超快速模塊。這些超快速器件可在硬開關(guān)中實(shí)現(xiàn) 8khz～60khz 的高工作頻率，在共振模式下可實(shí)現(xiàn) 200

ga200hs60s1pbf替代型號(hào)

GA100TS120UPBF GA100TS120U G965 G920 G910 G84-303-A2 G80N60 G73-N-B1 G710 G707

GA202 GA301 GA75TS120U GA75TS120UPBF GAIL-5 GAL16LV8D GAL16V8 GAL16V8B GAL16V8B10LP GAL16V8B7LP

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GSL1688 GAL16V8D-10LJ GBU806 GSD4T-9600-TR GSD3TW-8220-TR G5805TO1U GTL2002DC G9091-250T11U GST5009LF GD25Q80BSIG

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