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Fairchild推出單刀三擲(SP3T)模擬開關(guān)器件
飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出業(yè)界唯一的單刀三擲(sp3t) cmos模擬開關(guān)器件。這種革新型的fsa3357器件將為手持設備、移動電話、mp3播放器、pda、筆記本電腦以及其它便攜電子設備的設計人員帶來巨大的便利。采用一個單刀三擲多路 fsa3357器件替代兩個(串接)單刀雙擲(spdt)器件，可減少器件數(shù)目達50%，大大提高印制電路板的空間利用率，保證信號的完整性，并將該類器件的開關(guān)工作量減少一半。fsa3357 sp3t模擬開關(guān)器件采用us8 封裝，在同等功能的條件下，它比兩個單刀雙擲多路器件的尺寸更小，性能更優(yōu)。高性能fsa3357 sp3t模擬開關(guān)器件的rds(on)阻值僅為6歐姆，信號衰減極小。它的總諧波失真(thd)為0.01%，加上 -60 db的串擾失真，能夠確保信號的完整性。該器件同時具有寬頻帶(250mhz)和極點至極點信號處理性能，保證可高速并無諧波失真地傳輸數(shù)字和模擬信號。 fsa3357器件的電壓適應范圍寬達1.65v-5.5v，是電池供電應用的理想器件。fsa3357 sp3t器
在超便攜應用中模擬開關(guān)的關(guān)鍵設計參數(shù)
在整個電源電壓范圍內(nèi)工作，同時要求開關(guān)的關(guān)鍵特性，如ron (平坦度)、串擾、帶寬和thd等衰減最少。現(xiàn)在的開關(guān)發(fā)展趨勢是低ron值 (小于1w)，并在不同電壓下保持適合的低i/o電容、低衰減和良好平坦度。面對超便攜應用，工程師在設計選擇模擬開關(guān)時必須了解多項關(guān)鍵參數(shù)，如ron、串擾、thd、帶寬、電荷注入和插入損耗。圖1 傳輸門電路的復合ron圖2 帶寬測試原理圖圖3 串擾和關(guān)斷隔離測試原理圖圖4 開關(guān)應用和thd圖5 thd測試原理圖圖6 電荷注入的測試原理圖圖7 使用sp3t fsa3357模擬開關(guān)的典型usb應用導通電阻和平坦度模擬開關(guān)由一個傳輸門電路 (pmos與nmos并聯(lián)) 構(gòu)成，為了得到等效 (匹配) 的ron，pmos大小需近似為nmos的兩倍。這也意味著電容失配的存在，從而影響電荷注入特性。傳輸門電路的復合ron特性曲線如圖1所示。直覺上可能會認為ron愈低的器件愈好，但必須考慮特定應用的信號擺幅、適用電源、源/灌電流要求、成本和封裝目標等因素。產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中的導通電阻是在給定負載電流和特定vcc和vin條件下的數(shù)值。在晶體管級，ron是器件長度 (l)、器件寬度 (w

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