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確定功率MOSFET的適用性
和脈沖寬度而變化。在某指定時刻的熱阻叫做瞬態(tài)熱阻，并由下式表達(dá)： z_{ jc}(t)=r(t) r_{ jc} (2) 這里，r(t)是與熱容量相關(guān)，隨時間變化的因子。對于很窄的脈沖，r(t)非常?。坏珜τ诤軐挼拿}沖，r(t)接近1，而瞬態(tài)熱阻接近穩(wěn)態(tài)熱阻。大多數(shù)功率 mosfet 的數(shù)據(jù)表都具有與圖 5 類似的圖表。按照這個曲線，結(jié)區(qū)溫度可由下式算出： t_{j}=p_sd7qcswsyzdz_{ jc}(t)+t_{c] (3) 例如，當(dāng)施加1 s 的2kw 功率脈沖于 fqa11n90c 時上升溫度的計(jì)算，可由下式表達(dá)： t=p_sd7qcswsyzdz_{ jc}(1 s)=2000 1.49 10^{-3}≈3℃ 雖然施加的功率并不小，但溫度只升高了 3 ℃。注意：該數(shù)據(jù)表中給出的額定功耗是穩(wěn)態(tài)額定功耗，而且在脈沖寬度較窄時，功率 mosfet 甚至能承受更大的功率脈沖。不過，在上面的例子中，功率脈沖寬度（t1）為1 s的瞬態(tài)熱阻沒有納入圖 5 中。在脈沖時間太短及超出圖示范圍的情況下，單一脈沖的瞬態(tài)熱阻與時間的平方根成正比，即 z_{ jc}(1 s)由下式給出：其中z_{ jc

2010年7月23日維庫電子市場網(wǎng)IC報(bào)價
產(chǎn)品型號廠家封裝批號數(shù) 量價格供應(yīng)商 p87lpc762bdnxp smd20 0750+ 20 8.00元汕頭市冰河電子商行top224ynpower to-220 10+ 200 8.00元深圳雅思睿電子科技有限公司rhrg3060cc original 2008+ 200 15.00元深圳市安祥威電子有限公司fqa11n90c仙童 08+ 08+ 150000 6.50元深圳市金立達(dá)電子有限公司fdp3632fsc to-220 07+ 100 10.00元深圳市匯通偉業(yè)電子有限公司fqa11n90c仙童 to-3p 09+ 6.50元深圳市金立達(dá)電子有限公司si4442dy-t1-e3vishay sop-8 08+/09+ 130000 1.00元釗晟鑫電子經(jīng)營部si4470ey-t1-e3vishay sop-8 08+/09+ 30000 1.00元釗晟鑫電子經(jīng)營部cs5343cirruslogic tssop 09+ 20000 3.25元深圳市偉格興電子科技有限公司si4966dy-t1-e3vishay sop-8 08+/09+ 50000 0.90元釗晟鑫電子經(jīng)營部i

MOSFET的實(shí)際擊穿電壓一般比額定值能高出多少？
結(jié)區(qū)能耗r_{ jc}：穩(wěn)態(tài)下結(jié)區(qū)至管殼的熱阻不過在很多應(yīng)用中，功率 mosfet 中的能量是以脈沖方式耗散，而不是直流方式。當(dāng)功率脈沖施加于器件上時，結(jié)區(qū)溫度峰值會隨峰值功率和脈沖寬度而變化。在某指定時刻的熱阻叫做瞬態(tài)熱阻，并由下式表達(dá)：z_{ jc}(t)=r(t) r_{ jc} (2)這里，r(t)是與熱容量相關(guān)，隨時間變化的因子。對于很窄的脈沖，r(t)非常小；但對于很寬的脈沖，r(t)接近1，而瞬態(tài)熱阻接近穩(wěn)態(tài)熱阻。大多數(shù)功率 mosfet 的數(shù)據(jù)表都具有與圖 5 類似的圖表。圖5 fqa11n90c器件的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線（略）按照這個曲線，結(jié)區(qū)溫度可由下式算出：t_{j}=p_sd7qcswsyzdz_{ jc}(t)+t_{c] (3)例如，當(dāng)施加1 s 的2kw 功率脈沖于 fqa11n90c 時上升溫度的計(jì)算，可由下式表達(dá)：t=p_sd7qcswsyzdz_{ jc}(1 s)=2000 1.49 10^{-3}≈3℃ 雖然施加的功率并不小，但溫度只升高了 3 ℃。注意：該數(shù)據(jù)表中給出的額定功耗是穩(wěn)態(tài)額定功耗，而且在脈沖寬度較窄時，功率 mosfet 甚至能承受更大的功率脈沖。不過，在上面的例子中，功率脈沖寬度（t1

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