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203060
SOP28/24+
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
FM1808B-SG
30
SOP28/16+
現(xiàn)貨庫存快速報價/質(zhì)量保證，量大可供
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500
SOP8/19+
十年芯程，只做原裝
FM1808-70-SG
2180
SOP/10+
原裝
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40000
-/2024+
原廠原裝現(xiàn)貨庫存支持當天發(fā)貨
FM1808
48000
SMD/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)
FM1808
9850
SOP28/24+
原裝倉庫現(xiàn)貨 量大可訂貨期7-10天
FM1808
5000
-/23+
優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨
FM1808
5027
SOP/23+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
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SOP/N/A
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢
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原裝現(xiàn)貨
FM1808
105000
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終端可以免費供樣，支持BOM配單
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QFN/18+
長期回收此型號/回收庫存料
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6850
DIP/24+
原裝進口現(xiàn)貨熱賣，假一罰十
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原裝，配單能手
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只有原裝，提供一站配套服務(wù)
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提供一站式配單服務(wù)
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全新原裝，一級代理價格優(yōu)勢，可長期訂貨
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63422
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原裝現(xiàn)貨，可提供一站式配套服務(wù)
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只做原裝,提供一站式配套服務(wù)，BOM表秒報
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存儲器fram的出現(xiàn)為以上問題的解決提供了一個很好的方案。 鐵電存儲器(fram)是美國ramtron公司推出的一款掉電數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，它結(jié)合了高性能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。 fram不僅克服了eeprom和flash寫入時間長、寫入次數(shù)有限的缺點，又避免了增加備用電池，做到了快速、可靠的數(shù)據(jù)掉電保存。fram鐵電存儲器因其掉電不丟失、讀寫速度快、無限次讀寫、可靠性高等優(yōu)點，逐步成為一種主流存儲器，廣泛應(yīng)用在儀器儀表、工業(yè)控制、數(shù)字家電和通信產(chǎn)品等方面。 1 fm1808鐵電存儲器簡介 fm1808是由ramtron公司推出的一款存儲容量為32k×8位的并行接口fram。其主要特點有：采用64k×8位的存儲結(jié)構(gòu)；低電壓，使用2．7～3．6 v電源供電；無限次讀寫；掉電數(shù)據(jù)保存1o年；讀寫速度快，內(nèi)存訪問速度可達70 ns；先進的高可靠性鐵電存儲方式；低功耗，小于20μa的靜態(tài)工作電流，讀寫操作的功耗相同。 2 fm1808存儲器讀寫操作 fm1808通過并行口與外部處理器進行接口，其操作雖然與sram十分類似，但在使用過程中應(yīng)注意它們之間的細微
摘要：介紹鐵電存儲器（fram）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將fram與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以fm1808為例說明并行fpga與8051系列單片機的實際接口，著重分析與使用一般sram的不同之處。 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器 fram原理 8051 存儲技術(shù) 1 背景 鐵電存儲技術(shù)最在1921年提出，直到1993年美國ramtron國際公司成功開發(fā)出第一個4kb的鐵電存儲器fram產(chǎn)品，目前所有的fram產(chǎn)品均由ramtron公司制造或授權(quán)。最近幾年，fram又有新的發(fā)展，采用了0.35μm工藝，推出了3v產(chǎn)品，開發(fā)出“單管單容”存儲單元的fram，最大密度可在256kb。 2 fram原理 fram利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，鐵電晶體的結(jié)構(gòu)如圖1所示。鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，并達到一種穩(wěn)定狀態(tài)；當電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩(wěn)定位置，因此fram保
那些密度和價格比速度更重要的場合。例如dram是圖形顯示存儲器的最佳選擇，有大量的像素需要存儲，而恢復(fù)時間并不是很重要。如果不需要下次開機時保存上次內(nèi)容，使用易失性的dram存儲器就可以。dram的作用與成本是fram無法比擬的，事實證明，dram不是fram所能取代的。4．fram與flash現(xiàn)在最常用的程序存儲器是flash，它使用十分方便而且越來越便宜。程序存儲器必須是非易失性的并且要相對低廉，且比較容易改寫，而使用fram會受訪問次數(shù)的限制。fram與單片機接口下面介紹并行fram --fm1808與8051/52的實際應(yīng)用。預(yù)充電信號的產(chǎn)生在大多數(shù)的8051系統(tǒng)中，對存儲器的片選信號 通常允許在多個讀寫訪問操作時保持為低。但這對fm1808不適用，必須在每次訪問時由硬件產(chǎn)生一個正跳變。標準8051核的一個機器周期包括12個時鐘周期，ale信號在每個機器周期中兩次有效，除了對外部數(shù)據(jù)存儲器訪問時僅有效一次。8051對外部存儲器的讀或?qū)懖僮餍枰獌蓚€機器周期。快速型8051如ds87c520或w77e58的一個機器周期僅需4 個時鐘周期，而在一些新的如philips的8051中一個機器周期為6
摘要：介紹鐵電存儲器（fram）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將fram與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以fm1808為例說明并行fpga與8051系列單片機的實際接口，著重分析與使用一般sram的不同之處。 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器 fram原理 8051 存儲技術(shù)1 背景鐵電存儲技術(shù)最在1921年提出，直到1993年美國ramtron國際公司成功開發(fā)出第一個4kb的鐵電存儲器fram產(chǎn)品，目前所有的fram產(chǎn)品均由ramtron公司制造或授權(quán)。最近幾年，fram又有新的發(fā)展，采用了0.35μm工藝，推出了3v產(chǎn)品，開發(fā)出“單管單容”存儲單元的fram，最大密度可在256kb。2 fram原理fram利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，鐵電晶體的結(jié)構(gòu)如圖1所示。鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，并達到一種穩(wěn)定狀態(tài)；當電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩(wěn)定位置，因此fram保持數(shù)據(jù)不需要電壓，也不
摘要：ramtron公司生產(chǎn)的并行接口高性能鐵電存儲器fm1808是nv-sram的理想替代產(chǎn)品。文中介紹了fm1808的性能特點、引腳功能和工作原理，同時重點介紹了鐵電存儲器的應(yīng)用特點及與其它類型存儲器之間的應(yīng)用差別，給出了fm1808的設(shè)計應(yīng)用要點。 關(guān)鍵詞：fram；并行接口；鐵電存儲器；fm1808１ 引言目前，數(shù)據(jù)寫入頻率要求較高且要求掉電不丟失數(shù)據(jù)的應(yīng)用領(lǐng)域，通常采用內(nèi)部具有鋰電池的不揮發(fā)ｎｖ－ｓｒａｍ作為存儲器件，但該類器件昂貴的價格又制約了其在價格敏感領(lǐng)域的應(yīng)用，而如果使用與其兼容的鐵電存儲器ｆｒａｍ，則可很好地解決成本問題，同時又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲可靠性。鐵電存儲器是ｒａｍｔｒｏｎ公司的專利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲器產(chǎn)品同時擁有隨機存儲器（ｒａｍ）和非易失性存儲器（ｒｏｍ）產(chǎn)品的特性。 ｆｍ１８０８是基于鐵電存儲器原理制造的并行接口２５６ｋｂｉｔ鐵電存儲器，該存儲器相比其它類型的存儲器有三大特點：●幾乎可以像ｒａｍ那樣無限次寫入；●可隨總線速度寫入而無須任何寫等待時間；●超低功耗。這種鐵電存儲器ｆｒａｍ克服
摘要：RAMTRON公司生產(chǎn)的并行接口高性能鐵電存儲器FM1808是NV-SRAM的理想替代...
256K位非易失性鐵電存儲器，結(jié)構(gòu)容量為32768×8位，100億次讀寫次數(shù)，數(shù)據(jù)保留45年，寫數(shù)據(jù)無延時，采用先進的高可靠J跬的鐵電制造工藝；相對于BBSRAM模塊的優(yōu)勢：不涉及電池，單片機可靠性，真正表面貼裝解決方案，抗負脈沖能力； 兼容SRAM和EEPROM：符合JEDEC標準32K×8 SRAM，存取時間70ns，周期時間：130ns；低功率操作：工作電流25mA，待機電流20μA；工業(yè)標準配置：工業(yè)級溫度－40～＋85℃； 遵從RoHS標準
求助fm1808相關(guān)問題請問各位大俠fm1808的片選端如果從51的其中一個腳直接出來而不經(jīng)過門電路可以嗎？
試試看fm1808芯片是不是8位的存儲器？如果是8位的存儲器，而且你只用了一片的話，fm1808芯片的we腳應(yīng)該接arm的bls[0]腳，同時對應(yīng)的bcfg中的rble應(yīng)該置為0。
鐵電急問開發(fā)板有例程是往flash里寫數(shù)據(jù)，我是在自己的板子上往鐵電里寫數(shù)據(jù)，并且按照鐵電網(wǎng)站上推薦的硬件電路設(shè)計的（是針對單片機提出的），我修改了一下例程，硬件電路是將讀寫信號相與然后和片選相或產(chǎn)生fm1808的片選（滿足每次讀寫有一個高電平跳變），這就應(yīng)該滿足鐵電讀寫的要求了吧？？而且總線速度也應(yīng)該沒問題，可為什么總是不行呢？不論是單字節(jié)還是多字節(jié)結(jié)果總是對鐵電中00 20 40 60。。。。。。。。。等地址一次性讀寫，難道鐵電就不能用在arm中嗎？？有誰可以給個答復(fù)??？？？？
緊急求助鐵電ram數(shù)據(jù)丟失本人有一個產(chǎn)品，在現(xiàn)場運行1個多月后出現(xiàn)較大批量裝置發(fā)生鐵電fm1808內(nèi)數(shù)據(jù)錯亂，沒有發(fā)現(xiàn)任何規(guī)律，懷疑是鐵電本身問題或是程序訪問ram越界改寫數(shù)據(jù)，但一直未能查出原因。請各位高手指點，謝謝。
最近調(diào)試電路，我的液晶屏單獨測試時顯示完全正常，但是一接上74hc373就沒有顯示了。電路很簡單：373作為鎖存器來接外部ram fm1808，液晶時128×64，ks0108控制器的，控制線分別是cs1-p2.5,cs2-p2.4,rs-p2.3,wr-p2.2,e-p1.1,rst-p1.0；此時讀寫外部ram數(shù)據(jù)也部正常，誰能幫忙分析下原因??？
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