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歷史最低報(bào)價(jià)：￥0.7500 歷史最高報(bào)價(jià)：￥50.0000 歷史平均報(bào)價(jià)：￥5.8423

fds6676s中文資料

  • 新型CPU及微處理器低壓大電流可編程輸出電源設(shè)計(jì)

    當(dāng)越低越好； (2)應(yīng)選擇溫度性能較好的器件封裝形式： (3)額定漏源電壓應(yīng)大于15v； (4)所選mosfet應(yīng)具有較低的門電荷，特別在高頻工作狀態(tài)時(shí)，更是如此。 對(duì)于低邊mosfet，選擇時(shí)首先應(yīng)當(dāng)考慮的是導(dǎo)通阻抗rds（on），原因是它的高邊占空比較小，而導(dǎo)通阻抗對(duì)低邊mosfet的功耗影響較大，將影響電路的dc/dc轉(zhuǎn)換效率。對(duì)于圖2電路，由于需要其輸出的電流較大，因此電路中的每個(gè)通道都使用了兩個(gè)低邊mosfft。本設(shè)計(jì)中的s2～s3和s5～s6選擇的是飛兆公司的fds6676s型mosfet管，該mosfet管的導(dǎo)通阻抗rds（on）為6mω。 在選擇高邊mosfet時(shí)，其門電荷和導(dǎo)通阻抗同樣重要。因?yàn)楦哌卪osfet的門電荷將影響轉(zhuǎn)換速度并進(jìn)而影響功耗。因此，應(yīng)當(dāng)綜合考慮器件的門電荷和導(dǎo)通阻抗。實(shí)際上，對(duì)于大電流輸出應(yīng)用，如果電路的開關(guān)頻率較高，高邊mosfet也可以使用兩個(gè)mosfet來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。圖2電路中使用的是飛兆公司的一個(gè)fds6694作為高邊mosfet。 2.2 電感的選擇 該電路使用了兩個(gè)輸出電感，而且兩個(gè)輸出電感分別分布在阿個(gè)通道上

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