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FDFMA2P859T
15988
DPAK/25+
助力國(guó)營(yíng)二十余載，一站式BOM配單
FDFMA2P859T
9595
-/14+
原裝現(xiàn)貨熱賣
FDFMA2P859T
25000
6MICROFET/22+
只有原裝原裝，支持BOM配單
FDFMA2P859T
9000
6UDFN/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
25000
6MICROFET/22+
只有原裝原裝，支持BOM配單
FDFMA2P859T
10000
MicroFET(2x2)/24+
原裝現(xiàn)貨
FDFMA2P859T
9000
6UDFN/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
20000
SPM32AAP/22+
奧利騰只做原裝正品，實(shí)單價(jià)優(yōu)可談
FDFMA2P859T
9000
6UDFN/23+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
8000
SPM32AAP/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
FDFMA2P859T
3000
6MicroFET2x2/20+
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)渠道
FDFMA2P859T
19550
-/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
FDFMA2P859T
7764
MicroFET(2x2)/23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開票
FDFMA2P859T
4332
-/22+
公司現(xiàn)貨，進(jìn)口原裝熱賣
FDFMA2P859T
4332
-/-
公司現(xiàn)貨，進(jìn)口原裝熱賣
FDFMA2P859T
15500
MicroFET(2x2)/23+
主營(yíng)ON,原廠代理，保證
FDFMA2P859T
3650
6MicroFET2x2/25+
原裝，現(xiàn)貨庫(kù)存
FDFMA2P859T
15000
-/21+
一級(jí)代理 現(xiàn)貨在庫(kù)
FDFMA2P859T
8620
MicroFET/09+
原裝，公司現(xiàn)貨
FDFMA2P859T
20000
SOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
FDFMA2P859T
Fairchild
FDFMA2P859TPDF下載
3,000
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET - 單
PowerTrench®
MOSFET P 通道，金屬氧化物
二極管（隔離式）
20V
3A
120 毫歐 @ 3A，4.5V
1.3V @ 250µA
6nC @ 4.5V
435pF @ 10V
700mW
表面貼裝
6-WDFN 裸露焊盤
6-MicroFET（2x5）
帶卷 (TR)
FDFMA2P859TTR
日前,飛兆半導(dǎo)體公司(farichild semiconductor)宣布其microfet現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能.飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)經(jīng)理合作,開發(fā)了集成式p溝道powertrench mosfet與肖特基二極管器件fdfma2p859t,利用單一封裝解決方案,滿足對(duì)電池充電和功率多工(power-multiplexing)應(yīng)用至關(guān)重要的效率和熱性能需求. 相比傳統(tǒng)mosfet器件,fdfma2p859t具有出色的功率耗散和傳導(dǎo)損耗特性,且其封裝高度為0.55mm,比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)0.8mm microfet降低了30%,適用于在最新的便攜式手機(jī)、媒體播放器和醫(yī)療設(shè)備中常見的薄型設(shè)計(jì). fdfma2p859t專為滿足客戶的設(shè)計(jì)需求而開發(fā),在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能,并確保肖特基二極管在vr=10v下保持1?a的極低反向泄漏電流(lr).這些特性都能夠大大提升線性模式電池充電和功率多工應(yīng)用的性能和效率. fdfma2p859t是飛兆半導(dǎo)體廣泛的mosfet產(chǎn)品系列的一部分,此系列的特別設(shè)計(jì)能夠滿足當(dāng)今和未來(lái)設(shè)計(jì)之效率、空
飛兆半導(dǎo)體公司(farichild semiconductor)宣布其microfet現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能.飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)經(jīng)理合作,開發(fā)了集成式p溝道powertrench? mosfet 與肖特基二極管器件fdfma2p859,利用單一封裝解決方案,滿足對(duì)電池充電和功率多工(power-multiplexing)應(yīng)用至關(guān)重要的效率和熱性能需求. 相比傳統(tǒng)mosfet器件,fdfma2p859t 具有出色的功率耗散和傳導(dǎo)損耗特性,且其封裝高度為0.55mm,比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)0.8mm microfet降低了30%,適用于在最新的便攜式手機(jī)、媒體播放器和醫(yī)療設(shè)備中常見的薄型設(shè)計(jì). fdfma2p859t專為滿足客戶的設(shè)計(jì)需求而開發(fā),在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能,并確保肖特基二極管在vr=10v下保持1?a的極低反向泄漏電流(lr).這些特性都能夠大大提升線性模式電池充電和功率多工應(yīng)用的性能和效率. fdfma2p859t是飛兆半導(dǎo)體廣泛的mosfet產(chǎn)品系列的一部分,此系列的特別設(shè)計(jì)能夠滿足當(dāng)今和未來(lái)設(shè)計(jì)之效率、空間
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