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數(shù)字晶體管的測試與一般小信號(hào)晶體管相比,有較大的區(qū)別,主要測輸入截止電壓vi(off)(7bton),輸入開啟電壓vi(on)(8bton),輸出電壓vo(on)(9vcesat),輸入截止電流ii(10ieb),輸出截止電流io(off)(11ices),直流電流增益gi(12hfe),電阻r1(22r1),電阻r2(23r2)括號(hào)內(nèi)對(duì)應(yīng)附表中計(jì)算機(jī)測試程序中的相應(yīng)項(xiàng),其中電阻r1與r2因不能直接測試,要測試正確比較困難。下面以dtc114esa舉例說明測試原理。如圖2所示,由于基極與發(fā)射極上并聯(lián)了一只10k電阻,基極上又串聯(lián)一只10k的電阻,測試時(shí)晶體管eb結(jié)構(gòu)的特性就與小信號(hào)晶體管eb結(jié)的正反向特征有很大區(qū)別,一般晶體管的正向特性曲線如圖3所示,從0.7v左右正向電流隨正向電壓徒直上升,方向特性在6~10v左右開始雪崩擊穿,像一只6~10v的穩(wěn)壓二極管如圖4所示,而數(shù)字晶體管串聯(lián)r1及并聯(lián)r1電阻后,輸入特性曲線如圖5所示,所加正向電壓小于0.7v時(shí),晶體管可當(dāng)作截止?fàn)顟B(tài),eb兩端的電壓除以電流,所得的電阻r為r1與r2之和。當(dāng)所加正向電壓大于0.7v時(shí),晶體管可作為導(dǎo)通,導(dǎo)通
電流參數(shù):IO=50mA/IC=100mA電壓參數(shù):UCC=50V功 率:PD=300mW其他參數(shù):fT=250MHZ極 性:NPN