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DS1265W-100
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原裝現(xiàn)貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電咨詢
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3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
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8M非易失SRAM
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DS1265AB
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8M Nonvolatile SRAM
Maxim Integrated Products
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DS1265Y-70
NVRAM (Battery Based)
ETC
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NVRAM (Battery Based)
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道其輸出符合以下時(shí)序，如圖5所示。 圖中第一行為dataclk信號(hào)，其為tvp5147芯片提供的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)，第二行為數(shù)據(jù)y[9…0]，當(dāng)每一行圖像開始之前，會(huì)有4個(gè)sav信號(hào)，如圖5所示，數(shù)據(jù)是ycbcr格式，每個(gè)像素點(diǎn)的數(shù)據(jù)為4個(gè)數(shù)據(jù)組成，一次為cb，y，cr，y。而由圖5中可以看出avid信號(hào)為高電平時(shí)，表明當(dāng)前的數(shù)據(jù)為有效數(shù)據(jù)。這為cpld采集有效數(shù)據(jù)提供了參考信號(hào)。同時(shí)tvp5147芯片還輸出fid信號(hào)，該信號(hào)為奇偶場(chǎng)指示信號(hào)。 2．2 cpld讀寫sram 存儲(chǔ)器選擇了ds1265ab，它是sram存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)速度快的優(yōu)點(diǎn)，并能夠在系統(tǒng)掉電時(shí)保存數(shù)據(jù)10年。ds1265具有1 mb的容量，20根地址線，8根數(shù)據(jù)線，另有we，oe，ce信號(hào)輸入端。 cpld選用epm7128具有價(jià)格便宜、計(jì)數(shù)頻率高等優(yōu)點(diǎn)。將存儲(chǔ)器sram接到cpld的io引腳上，配合時(shí)序便能達(dá)到對(duì)sram讀寫的要求，原理圖，如圖6所示。 編寫cpld程序使得輸出時(shí)序滿足sram的存儲(chǔ)要求，當(dāng)然對(duì)于設(shè)計(jì)的具體要求，利用兩片sram分別存儲(chǔ)奇偶場(chǎng)的數(shù)據(jù)，sram的切換是由奇偶場(chǎng)信號(hào)fid控制多片
圖中第一行為dataclk信號(hào)，其為tvp5147芯片提供的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)，第二行為數(shù)據(jù)y[9…0]，當(dāng)每一行圖像開始之前，會(huì)有4個(gè)sav信號(hào)，同樣，結(jié)束之后也有4個(gè)eav信號(hào)，如圖5所示，數(shù)據(jù)是ycbcr格式，每個(gè)像素點(diǎn)的數(shù)據(jù)為4個(gè)數(shù)據(jù)組成，一次為cb，y，cr，y。而由圖5中可以看出avid信號(hào)為高電平時(shí)，表明當(dāng)前的數(shù)據(jù)為有效數(shù)據(jù)。這為cpld采集有效數(shù)據(jù)提供了參考信號(hào)。同時(shí)tvp5147芯片還輸出fid信號(hào)，該信號(hào)為奇偶場(chǎng)指示信號(hào)。 2．2 cpld讀寫sram 存儲(chǔ)器選擇了ds1265ab，它是sram存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)速度快的優(yōu)點(diǎn)，并能夠在系統(tǒng)掉電時(shí)保存數(shù)據(jù)10年。ds1265具有1 mb的容量，20根地址線，8根數(shù)據(jù)線，另有we，oe，ce信號(hào)輸入端。 cpld選用epm7128具有價(jià)格便宜、計(jì)數(shù)頻率高等優(yōu)點(diǎn)。將存儲(chǔ)器sram接到cpld的io引腳上，配合時(shí)序便能達(dá)到對(duì)sram讀寫的要求，原理圖，如圖6所示。 編寫cpld程序使得輸出時(shí)序滿足sram的存儲(chǔ)要求，當(dāng)然對(duì)于設(shè)計(jì)的具體要求，利用兩片sram分別存儲(chǔ)奇偶場(chǎng)的數(shù)據(jù)，sram的切換是由奇偶場(chǎng)信號(hào)fid控制多片
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