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關(guān)于ARM處理器的MVB 2類設(shè)備研究
層以及一部分傳輸層的數(shù)據(jù)處理，并通過通訊存儲(chǔ)器來與上層軟件交互。本系統(tǒng)中mvb通信控制器采用mvbc01 asic專用芯片，符合iec61375-1國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。mvbc01專用芯片采用16位數(shù)據(jù)總線，提供了豐富的接口控制信號(hào)，簡(jiǎn)化了與各種宿主cpu以及通信存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)，支持mvb協(xié)議中鏈路層及以下的功能。 2.4 通信存儲(chǔ)器模塊通信存儲(chǔ)器地址空間保存mvbc01的所有數(shù)據(jù)和信息，既可以被mvbc01訪問又可以被arm處理器訪問。本系統(tǒng)中采用兩片512 kb大小的sram cy62148擴(kuò)展成1 mb的尋址空間。通信存儲(chǔ)器的尋址空間劃分為4部分，分別為logical address space(la)，device addressspace(da)，service area(1 kb)和miscellany。通信存儲(chǔ)器分別通過數(shù)據(jù)線，地址線和arm處理器以及mvbc01相連，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換和地址尋址，arm處理器、mvbc01和通信存儲(chǔ)器的連接示意圖如圖2所示。 mvbc01內(nèi)部集成traffic memory controller(tmc)模塊，負(fù)責(zé)控制通
基于ARM處理器的MVB 2類設(shè)備研究
鏈路層以及一部分傳輸層的數(shù)據(jù)處理，并通過通訊存儲(chǔ)器來與上層軟件交互。本系統(tǒng)中mvb通信控制器采用mvbc01 asic專用芯片，符合iec61375-1國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。mvbc01專用芯片采用16位數(shù)據(jù)總線，提供了豐富的接口控制信號(hào)，簡(jiǎn)化了與各種宿主cpu以及通信存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)，支持mvb協(xié)議中鏈路層及以下的功能。 2.4 通信存儲(chǔ)器模塊通信存儲(chǔ)器地址空間保存mvbc01的所有數(shù)據(jù)和信息，既可以被mvbc01訪問又可以被arm處理器訪問。本系統(tǒng)中采用兩片512 kb大小的sram cy62148擴(kuò)展成1 mb的尋址空間。通信存儲(chǔ)器的尋址空間劃分為4部分，分別為logical address space(la)，device addressspace(da)，service area(1 kb)和miscellany。通信存儲(chǔ)器分別通過數(shù)據(jù)線，地址線和arm處理器以及mvbc01相連，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換和地址尋址，arm處理器、mvbc01和通信存儲(chǔ)器的連接示意圖如圖2所示。 mvbc01內(nèi)部集成traffic memory controller(tmc)模塊，負(fù)責(zé)控制通
異步SRAM的信號(hào)
chip enable，芯片使能）這是器件的選擇信號(hào)，雖然存在ce1和ce2兩個(gè)信號(hào)，但它們是以and條件選擇的。也就是說，只有當(dāng)ce1為低電平且ce2為高電平時(shí)，器件才處于選擇狀態(tài)。如果不在選擇狀態(tài)，則其他輸人引腳的狀態(tài)將全部被忽略。存在極性不同的chip enable信號(hào)是為了處理方便。例如，電池各份時(shí)，因?yàn)橹麟娫幢旧硐陆?，與主電源連接的電路中就不能形成高電平，但是通過簡(jiǎn)單的下拉電阻，可以相對(duì)簡(jiǎn)單地保持低電平。需要注意的是，在以相同引腳排列形式、且ce2引腳處于高位的4m位容量的cy62148中，因?yàn)閏e2引腳被作為地址引腳使用了，因而chip enable就只能利用ce1。如果將sram置于低功耗的待機(jī)狀態(tài)，則需要注意¤可及ce2的電壓。與在cmos電平的使用時(shí)相比，在使用ttl電平輸人（高電平為2.4伏；低電平為0.8伏）時(shí)，損耗電流變得相當(dāng)?shù)拇?。例如，?duì)于cy62128-55來講，如果是cmos電平，則典型值為0.4μ，雨ttl電平就為25ma，相差一個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，進(jìn)行普通的電池備份時(shí)，將ce1／ce2設(shè)計(jì)在cmos柵極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，以便確保其為高電平。 4. o

CY62148DV30LL-70ZSXI的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):CY62148DV30LL-70ZSXI
位密度:4M
組織結(jié)構(gòu):512K x 8
最大工作電流(mA):3mA @ 1MHz 10mA @ fmax
最大靜態(tài)電流(μA):8
工作電壓(V):2.2~3.6
速度(ns):70
封裝/溫度(℃):32TSOP II/-40~85
價(jià)格/1片(套):暫無
CY62148BLL-70ZI的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):CY62148BLL-70ZI
位密度:4M
組織結(jié)構(gòu):512K x 8
最大工作電流(mA):20
最大靜態(tài)電流(μA):20
工作電壓(V):4.5~5.5
速度(ns):70
封裝/溫度(℃):32TSOP II/-40~85
價(jià)格/1片(套):暫無

來源:<...
CY62148BLL-70SXI的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):CY62148BLL-70SXI
位密度:4M
組織結(jié)構(gòu):512K x 8
最大工作電流(mA):20
最大靜態(tài)電流(μA):20
工作電壓(V):4.5~5.5
速度(ns):70
封裝/溫度(℃):32SOIC/-40~85
價(jià)格/1片(套):暫無

來源:

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cy62148供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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關(guān)于ARM處理器的MVB 2類設(shè)備研究

基于ARM處理器的MVB 2類設(shè)備研究

異步SRAM的信號(hào)

CY62148DV30LL-70ZSXI的技術(shù)參數(shù)

CY62148BLL-70ZI的技術(shù)參數(shù)

CY62148BLL-70SXI的技術(shù)參數(shù)

cy62148替代型號(hào)

cy62148供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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