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當(dāng)前位置:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>c1972 更新時(shí)間:2025-08-15 15:35:09

c1972供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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c1972中文資料

  • 中外射頻功率管參數(shù)及互換表

    0 mrt5812 5.5g 1.5 30 200 cm492 50 2 30 1a cm494 50 4 30 3a c3101 520 3.5 30 1a c1971 175 12 30 3da107a c1972 175 25 30 3da23a c1628 120 2 3da93c c2192 600 30 3da23a c1564 800 40 3da100b c2078 150 10 3da106c c1791 1.

  • 15w射頻功率放大器

    該功率放大器可將功1—2w、88—108mhz調(diào)頻發(fā)射機(jī)的功率擴(kuò)展至于10—15w,采用單管丙類放大及多級(jí)低通濾波器組成,具有較高的轉(zhuǎn)換效率及很強(qiáng)的詣波抑制能力。 電路見(jiàn)附圖所示,采用大功率發(fā)射管c1972,其參數(shù)如下:175mhz、4a、25w、功率增益≥8.5db、按圖所示參數(shù),電路工作中心頻率約為98mhz,輸入約2w的射頻功率時(shí),額定輸出可達(dá)15w。為保88~108mhz內(nèi)的任一頻點(diǎn)時(shí)輸出達(dá)到額定值,可根據(jù)前級(jí)的中心頻率對(duì)部分元件作適當(dāng)調(diào)整。必要時(shí),可減少低通波波器級(jí)數(shù),以增大輸出功率。經(jīng)擴(kuò)展后的功率信號(hào)由三級(jí)低通濾波器濾去高次詣波成份饋入了發(fā)射天線。 元件選擇:除電解電容外,其它用高頻瓷片電容器, c11、c12、c14用高頻特性好,性能穩(wěn)定的可調(diào)電容,扼流電感rfc1、rfc2用成品電感器,必須注意rfc2的電流承載能力,應(yīng)選用線徑較粗的帶磁心的電感器。l1—l6可用?0.8mm的高強(qiáng)度漆包線制,直徑約5mm,圈數(shù)圖中以“t”為單位標(biāo)明。q1用普通q9插座,與插頭配套使用。q2用專用50ω射頻輸出接頭,接解電阻更小,更有利于阻抗匹配。功率放大管用比較常見(jiàn)的發(fā)射

  • 中外射頻功率管參數(shù)及互換表

    0 mrt5812 5.5g 1.5 30 200 cm492 50 2 30 1a cm494 50 4 30 3a c3101 520 3.5 30 1a c1971 175 12 30 3da107a c1972 175 25 30 3da23a c1628 120 2 3da93c c2192 600 30 3da23a c1564 800 40 3da100b c2078 150 10 3da106c c1791 1.

  • 15W的發(fā)射機(jī)功率放大電路

    該功率放大器可將功1—2w、88—108mhz調(diào)頻發(fā)射機(jī)的功率擴(kuò)展至于10—15w,采用單管丙類放大及多級(jí)低通濾波器組成,具有較高的轉(zhuǎn)換效率及很強(qiáng)的詣波抑制能力。 電路如圖所示,采用大功率發(fā)射管c1972,其參數(shù)如下:175mhz、4a、25w、功率增益≥8.5db、按圖所示參數(shù),電路工作中心頻率約為98mhz,輸入約2w的射頻功率時(shí),額定輸出可達(dá)15w。為保88~108mhz內(nèi)的任一頻點(diǎn)時(shí)輸出達(dá)到額定值,可根據(jù)前級(jí)的中心頻率對(duì)部分元件作適當(dāng)調(diào)整。必要時(shí),可減少低通波波器級(jí)數(shù),以增大輸出功率。經(jīng)擴(kuò)展后的功率信號(hào)由三級(jí)低通濾波器濾去高次詣波成份饋入了發(fā)射天線。元件選擇:除電解電容外,其它用高頻瓷片電容器, c11、c12、c14用高頻特性好,性能穩(wěn)定的可調(diào)電容,扼流電感rfc1、rfc2用成品電感器,必須注意rfc2的電流承載能力,應(yīng)選用線徑較粗的帶磁心的電感器。l1—l6可用?0.8mm的高強(qiáng)度漆包線制,直徑約5mm,圈數(shù)圖中以“t”為單位標(biāo)明。q1用普通q9插座,與插頭配套使用。q2用專用50ω射頻輸出接頭,接解電阻更小,更有利于阻抗匹配。功率放大管用比較常見(jiàn)的發(fā)射專用管c1

  • 常用中功率三極管參數(shù)(1)

    hf-l 80 6 20 pq=16w/27m c1969 npn am-l 60 6 20 pq=16w/27m c1970 npn vhf-tr 40 0.6 5 pq=1.3w/175m c1971 npn vhf-l 35 2 12.5 pq=7w/175m c1972 npn vhf-l 35 3.5 25 pq=1w/50m c1984 npn darl-l 100 3 30 / c1986 npn uni-ra 100 0.1 / 300mhz/a771 c2073 npn nf/s-l 150 1.5 25 / c2

  • 額定功率15W的發(fā)射機(jī)功率放大電路

    該功率放大器可將功小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)的功率擴(kuò)展至于10—15w,采用單管丙類放大及多級(jí)低通濾波器組成,具有較高的轉(zhuǎn)換效率及很強(qiáng)的詣波抑制能力。 該電路采用大功率發(fā)射管c1972,其參數(shù)如下:175mhz、4a、25w、功率增益≥8.5db,電路工作中心頻率約為98mhz,輸入約2w的射頻功率時(shí),額定輸出可達(dá)15w。 除電解電容外,其它用高頻瓷片電容器, c11、c12、c14用高頻特性好,性能穩(wěn)定的可調(diào)電容,扼流電感rfc1、rfc2用成品電感器,必須注意rfc2的電流承載能力,應(yīng)選用線徑較粗的帶磁心的電感器。l1—l6可用?0.8mm的高強(qiáng)度漆包線制,直徑約5mm。q1用普通q9插座,與插頭配套使用。q2用專用50ω射頻輸出接頭,接解電阻更小,更有利于阻抗匹配。功率放大管用比較常見(jiàn)的發(fā)射專用管c1972,當(dāng)然如果您銀子特別充足,買塊c2538等高增益管的話,功率將會(huì)更大。 來(lái)源:qick

  • 調(diào)頻發(fā)身機(jī)主頻功率放大器電路圖

    該功率放大器可將功率1-2w、88-108mhz調(diào)頻發(fā)射機(jī)的功率擴(kuò)展至于10-15w,采用單管丙類放大及多級(jí)低通濾波器組成,具有較高的轉(zhuǎn)換效率及很強(qiáng)的詣波抑制能力。 原理圖: 電路如圖所示,采用大功率發(fā)射管c1972,其參數(shù)如下:175mhz、4a、25w、功率增益≥8.5db、按圖所示參數(shù),電路工作中心頻率約為 98mhz,輸入約2w的射頻功率時(shí),額定輸出可達(dá)15w。為保88~108mhz內(nèi)的任一頻點(diǎn)時(shí)輸出達(dá)到額定值,可根據(jù)前級(jí)的中心頻率對(duì)部分元件作適當(dāng)調(diào)整。必要時(shí),可減少低通波波器級(jí)數(shù),以增大輸出功率。經(jīng)擴(kuò)展后的功率信號(hào)由三級(jí)低通濾波器濾去高次詣波成份饋入了發(fā)射天線。 元件選擇: 除電解電容外,其它用高頻瓷片電容器, c11、c12、c14用高頻特性好,性能穩(wěn)定的可調(diào)電容,扼流電感rfc1、rfc2用成品電感器,必須注意rfc2的電流承載能力,應(yīng)選用線徑較粗的帶磁心的電感器。l1—l6可用?0.8mm的高強(qiáng)度漆包線制,直徑約5mm,圈數(shù)圖中以“t”為單位標(biāo)明。q1用普通q9插座,與插頭配套使用。q2用專用50ω射頻輸出接頭,接解電阻更小,更有利于阻抗匹配。功率放大

c1972替代型號(hào)

C1971 c1970 C1969 C1959 C1947 C1945 C1942 C1941 C1923 C1921

C1973 C1984 C1986 C1C1 C200 C2002 C2003 C200HW-SRM21-V1 C201 C2012

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CC2590RGVR CSD16413Q5A CX9162B-3.3 CM2830AGSIM89TR CY62256NLL-55SNXIT CES2362 CD4069UBCMX CD4053BCMX CY23S05SXC-1HT CM2830AGSIM23TR

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