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當(dāng)前位置:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>byv26c 更新時(shí)間:2025-09-01 15:49:14

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byv26c中文資料

  • 新型TOPSwitch-GX系列電源的PI設(shè)計(jì)

    使用聚脂薄膜隔離,保證了較好的絕緣強(qiáng)度。同時(shí),為了降低磁輻射、減小溫升及便于安裝,在初級(jí)與次級(jí)線圈之間以及其外圈都用銅片隔離,且縫隙處用導(dǎo)熱膠灌注。在變壓器的設(shè)計(jì)和制作過程中,必須對(duì)磁芯與線圈的結(jié)構(gòu)、繞制方法、散熱、效率等周密考慮。 2.4 電路工作原理輸入交流195~265 v電壓接入交流電源進(jìn)線端的lc,專門用于濾除電網(wǎng)線之間的串模干擾和共模干擾。交流電壓經(jīng)全橋整流后。再通過濾波電容變成較平滑的直流電壓:與變壓器原邊并聯(lián)的吸收電路采用鉗位電壓為200 v的p6ke200型瞬態(tài)電壓;vd選用byv26c型超快恢復(fù)二極管,其反向耐壓為600 v,可構(gòu)成保護(hù)功能完善的vs、vd、r、c型鉗位及吸收電路,以便吸收漏感上較大的磁場(chǎng)能量,從而保護(hù)mosfet不受損壞。由高頻變壓器t1和top246y組成的單端反激電路,可將能量傳輸?shù)蕉蝹?cè);輸出整流二極管采用共陰極肖特基對(duì)管.輸出濾波電路由l和c并聯(lián)構(gòu)成;線性光耦合器pc817和可調(diào)式三端精密穩(wěn)壓器tla31組成精密光耦反饋電路;輸出電壓uo通過電阻分壓器獲得取樣電壓,并與tla31中的2.5 v基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后產(chǎn)生誤差電壓,再經(jīng)過光耦隔離放大,可改變

  • 新型無損快速智能充電器的設(shè)計(jì)方法

    。電源電路如圖2所示。 圖2 24v/40w電源電路 設(shè)計(jì)的性能指標(biāo)如下: 1)輸入電壓:uac=220(1±20%)v;2)輸入電壓頻率:f=50(1±5%)hz;3)輸出電壓/最大輸出功率:24 v/40 w;4)開關(guān)電源效率:η≥80%. 交流輸入電壓uac經(jīng)過壓敏電阻r1濾除交流電壓中的尖峰脈沖后,經(jīng)電磁干擾(emi)濾波器(c1,l1)濾除差模和共模干擾。之后經(jīng)過br全波整流及c2濾波后產(chǎn)生直流高壓,給高頻變壓器的初級(jí)繞組供電。p6ke200(瞬態(tài)電壓抑制器)和byv26c(超快恢復(fù)二極管)構(gòu)成鉗位電路,用于吸收在top224y關(guān)斷時(shí)由高頻漏感產(chǎn)生的尖峰電壓,并能衰減振鈴電壓,對(duì)漏極起到保護(hù)作用。次級(jí)電路經(jīng)過vd3、c3、l2和c4整流濾波輸出24 v的電壓u0.由tl431a構(gòu)成的外部誤差放大器實(shí)現(xiàn)u0的動(dòng)態(tài)穩(wěn)壓,當(dāng)輸出電壓發(fā)生波動(dòng),經(jīng)r4、r5分壓后得到取樣電壓,就與tl431a內(nèi)的基準(zhǔn)電壓(2.5 v)進(jìn)行比較產(chǎn)生一個(gè)外部控制信號(hào),再通過線性光耦合器pc817a改變top224y控制電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)占空比使u0趨于穩(wěn)定。c7濾除加在控制端的尖峰電壓,還與r2、

  • 大功率單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)

    x與源極s相連,則該兩端的功能都沒用,即不從外部設(shè)定極限電流,內(nèi)部自動(dòng)設(shè)定自保護(hù)電流ilimit,開關(guān)工作頻率為132k;控制極和光耦ltv817相連,接受反饋信號(hào)以實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)部集成的高壓功率mos管占空比的控制;線路檢測(cè)端l通過一2mω的電阻和直流高壓輸入的正端相連以實(shí)現(xiàn)過壓、欠壓線電壓前饋的線電壓檢測(cè)。整個(gè)電路為單端反激式,topswitch—gx為開關(guān)集成穩(wěn)壓器,反饋電路主要有光耦ltv817和與之串連的三個(gè)穩(wěn)壓二極管構(gòu)成。電容c1為高頻濾波電容;瞬態(tài)電壓抑制器p6ke200和超快恢復(fù)二極管byv26c構(gòu)成鉗位電路,并在其中串入rc吸收電路(由r2,r3和c6組成),這樣除了可以吸收部分漏感中的能量以外,還可將電壓鉗位在200v,可使開關(guān)電源在啟動(dòng)或過載的情況下topswitch—gx內(nèi)部集成mos管的漏極電壓不超過700v;光耦ltv817和穩(wěn)壓二極管(vr2~vr4)構(gòu)成反饋電路,r6是光耦中l(wèi)ed的限流電阻,它還決定控制環(huán)路的增益,輸出電壓變化時(shí)則流過光耦中l(wèi)ed的電流相應(yīng)變化,從而光送到芯片控制極c的電流也相應(yīng)變化,芯片內(nèi)部據(jù)此產(chǎn)么的pwm信號(hào)占空比發(fā)生變化最終使輸出電壓穩(wěn)定;高頻變壓

  • 兩種雙管反激型DC/DC變換器的研究和比較

    傳統(tǒng)雙管反激和寬范圍雙管反激拓?fù)涞臉訖C(jī)驗(yàn)證了以上的分析和比較。為了具有可比性,這兩臺(tái)樣機(jī)的規(guī)格和參數(shù)須保持一致,只是傳統(tǒng)的雙管反激變換器的輸入電壓范圍是250~400v,寬范圍雙管反激的輸入電壓范圍為100~400v。這兩臺(tái)樣機(jī)的其他規(guī)格和參數(shù)如下:輸出電壓vo 24v;輸出電流io 0~4a;工作頻率f 108khz;主開關(guān)s1及s2 irf840;整流二極管dr1 halfof30cpq100;變壓器t n=160∶20,lm=7.2mh,ls=180μh;鉗位二極管d1(d2)byv26c。圖4(a)、(b)、(c)是300v輸入2.5a輸出時(shí)傳統(tǒng)雙管反激變換器的主要實(shí)驗(yàn)波形。圖4(a)是變壓器原邊的電壓波形,正向電壓為300v,反向復(fù)位電壓大約為200v。圖4(b)是開關(guān)管s1漏源間的電壓波形,其峰值為300v,然后經(jīng)過一個(gè)振蕩降至275v左右。圖4(c)是開關(guān)管s2漏源間的電壓波形,其峰值為300v,經(jīng)過振蕩降至225v左右。兩個(gè)開關(guān)管s1及s2的峰值電壓均未超過輸入電壓。圖4(d)、(e)、(f)是150v輸入4a輸出時(shí)寬范圍雙管反激變換器的主要實(shí)驗(yàn)波形。圖4(d)是變壓器

  • LED恒流源周邊元器件的選擇方法

    壓大電流的型號(hào)vf值會(huì)低些,成本也會(huì)稍有增加,沒有成本壓力可以考慮。 經(jīng)??梢允褂玫亩O管可以是: in5817 1a 20v in5819 1a 40v cmsh1-60m 1a 60v cmsh1-100m 1a 100v byv26a 1.5a 200v byv26b 1.5a 400v byv26c 1.5a 600v byv26d 1.5a 800v b220 2a 20v b240 2a 40v b2100 2a 100v b320 3a 20v ups340 3a 40v sbm430 3

  • 新型TOPSwitch-GX系列電源的PI設(shè)計(jì)

    使用聚脂薄膜隔離,保證了較好的絕緣強(qiáng)度。同時(shí),為了降低磁輻射、減小溫升及便于安裝,在初級(jí)與次級(jí)線圈之間以及其外圈都用銅片隔離,且縫隙處用導(dǎo)熱膠灌注。在變壓器的設(shè)計(jì)和制作過程中,必須對(duì)磁芯與線圈的結(jié)構(gòu)、繞制方法、散熱、效率等周密考慮。 2.4 電路工作原理輸入交流195~265 v電壓接入交流電源進(jìn)線端的lc,專門用于濾除電網(wǎng)線之間的串模干擾和共模干擾。交流電壓經(jīng)全橋整流后。再通過濾波電容變成較平滑的直流電壓:與變壓器原邊并聯(lián)的吸收電路采用鉗位電壓為200 v的p6ke200型瞬態(tài)電壓;vd選用byv26c型超快恢復(fù)二極管,其反向耐壓為600 v,可構(gòu)成保護(hù)功能完善的vs、vd、r、c型鉗位及吸收電路,以便吸收漏感上較大的磁場(chǎng)能量,從而保護(hù)mosfet不受損壞。由高頻變壓器t1和top246y組成的單端反激電路,可將能量傳輸?shù)蕉蝹?cè);輸出整流二極管采用共陰極肖特基對(duì)管.輸出濾波電路由l和c并聯(lián)構(gòu)成;線性光耦合器pc817和可調(diào)式三端精密穩(wěn)壓器tla31組成精密光耦反饋電路;輸出電壓uo通過電阻分壓器獲得取樣電壓,并與tla31中的2.5 v基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后產(chǎn)生誤差電壓,再經(jīng)過光耦隔離放大,可改變

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