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BSM200GB120DN2 IGBT Power Module (Half-bridge Inclu... INFINEON BSM200GB120DN2PDF下載
BSM200GB120DN2 IGBT Power Module (Half-bridge Inclu... SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] BSM200GB120DN2PDF下載

bsm200gb120dn2價(jià)格行情

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歷史最低報(bào)價(jià)：￥1.0000 歷史最高報(bào)價(jià)：￥1500.0000 歷史平均報(bào)價(jià)：￥698.0652

型號(hào) 廠家封裝批號(hào) 數(shù)量日期價(jià)格
BSM200GB120DN2 ON 05+ SMA 2007/4/11 0:00:00 1.0000/pcs
BSM200GB120DN2 EUPEC 柜臺(tái) 2009/1/9 0:00:00 400.0000/pcs
BSM200GB120DN2 2005/7/20 0:00:00 400.0000/pcs
BSM200GB120DN2 IGBT200A1200V 2005/2/21 0:00:00 400.0000/pcs
BSM200GB120DN2 EUPEC 模塊 04+ 2009/1/9 0:00:00 440.0000/pcs
BSM200GB120DN2 EUPEC 現(xiàn)貨庫(kù)存專營(yíng)模塊 2008/6/26 0:00:00 450.0000/pcs
BSM200GB120DN2 EUPEC 模塊 2008/6/26 0:00:00 450.0000/pcs
BSM200GB120DN2 EUPEC 模塊 2008/7/19 0:00:00 480.0000/pcs
BSM200GB120DN2 2005/2/21 0:00:00 480.0000/pcs
BSM200GB120DN2 SIEMENS 200A1200V2U 05+ 2006/5/8 0:00:00 510.0000/pcs

bsm200gb120dn2中文資料

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相關(guān)資訊

制造商:
Infineon
產(chǎn)品種類:
IGBT 模塊
產(chǎn)品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Half Bridge Module
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:
1200 V
集電極—射極飽和電壓:
2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:
290 A
柵極—射極漏泄電流:
400 nA
功率耗散:
1.4 KW
最大工作溫度:
+ 150 C
封裝 / 箱體:
Half Bridge2
柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V
安裝風(fēng)格:
Screw
工廠包裝數(shù)量:
500

變頻器配件
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制造商:

產(chǎn)品種類:

產(chǎn)品:

配置:

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:

集電極—射極飽和電壓:

在25 C的連續(xù)集電極電流:

柵極—射極漏泄電流:

功率耗散:

最大工作溫度:

封裝 / 箱體:

柵極/發(fā)射極最大電壓:

安裝風(fēng)格:

工廠包裝數(shù)量:

變頻器配件

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集電極—射極飽和電壓:

在25 C的連續(xù)集電極電流:

柵極—射極漏泄電流:

功率耗散:

最大工作溫度:

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