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淺談NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)
。amba規(guī)范主要包括了ahb（advanced high performance bus）系統(tǒng)總線和apb（advanced peripheral bus）外圍總線。為了擁有高速的數(shù)據(jù)交換通道，flash經(jīng)由控制器模塊通過ahb總線與處理器通信。nandflash控制器、norflash控制器和dma控制器都是高速總線ahb上的master模塊，都包含符合amba標準的總線接口模塊與ahb交互工作。 2.3 norflash的接口設(shè)計系統(tǒng)用的norflash芯片是atmel公司開發(fā)的at49bv1614a，存儲空間為16 mb，在系統(tǒng)中常用于存放代碼，系統(tǒng)上電或復位后獲得指令開始執(zhí)行，因此，應(yīng)將其配置到bank0，將at49bv1614a的片選端nce接至 s3c2410的ngcs0；at49bvl614a的輸出使能端noe接s3c2410的noe；寫使能端nwe接s3c2410的nwbe0；將模式選擇nbyte上拉，使at49bv1614a工作在 16 位數(shù)據(jù)模式。 2. 4 norflash在系統(tǒng)中的具體操作以at49bv1614a芯片時序圖為例，具體說明norflash的寫操作，

AT49BV1614A
單電壓讀/寫操作：2.65—3.6V；存取時間為70ns；扇區(qū)擦除架構(gòu)：31個32K字(64KB)扇區(qū)具有獨立的寫入封鎖，8個4K字(8KB)扇區(qū)具有獨立的寫入封鎖；快速字編程時間為12μs；快速扇區(qū)擦除時間為300ms；雙層組織，具有程序/擦除，允許并行讀??；存儲器A層：8個4K字，7個32K字扇區(qū)；存儲器B層：24個32K字扇區(qū)；擦除暫停能力：通過不同扇區(qū)的暫停擦除，從任何扇區(qū)支持讀/編程數(shù)據(jù)；低功率運行：30mA工作電流，10μA待機電流；Data輪詢，觸發(fā)位，Ready/Busy用于程序檢測的結(jié)束；VPP引腳用于寫保護；RESET輸入用于設(shè)備初始化；支持扇區(qū)解鎖；TSOP和CBGA封裝選擇；提供頂部或底部啟動區(qū)塊配置；128位保護寄存器

各位大俠能幫小弟看看下面的FLASH.C文件是否修改正確嗎？
ize 0x200000 * 2 mb * */#define flash_bank_size 0x1000000 /*16mb 05.09.17/17:38*//*#define main_sect_size 0x10000 * 64 kb * */#define main_sect_size 0x20000 /*128kb 05.09.17/17:38*/flash_info_t flash_info[cfg_max_flash_banks];/* at49bv1614a codes *//*#define flash_code1 0xaa*/#define flash_code1 0x90 /*05.09.22/20:30*/#define flash_code2 0x55#define id_in_code 0x01#define id_out_code 0xf0/*#define cmd_read_array 0x00f0*/#define cmd_read_a
AT91SAM-ICE能否對外擴flash進行編程
at91sam-ice能否對外擴flash進行編程我的系統(tǒng)設(shè)計如下： at91rm9200+at49bv1614a flash 程序代碼放在at49bv1614a里面，請問能否用at91sam-ice對at49bv1614a進行程序燒寫！盼回復！
flash ID 是否可以更改？
flash id 是否可以更改？在用embest的仿真機對at49bv1614a編程時，正好同事啟動電腦，然后embest online flash progeammer顯示編程錯誤，再寫也不行，擦除顯示正常，實際沒擦除（幾分鐘前燒的程序從新上電后依舊運行）。試了幾回后發(fā)現(xiàn)id好象不對embest顯示為0x1f0f0f0f，不會是受干擾時改寫了flash id 吧。程序在ram中可以運行，embest online flash progeammer也重裝過，就差換ｉｃ了。

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