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s（on）工作于負溫度系數(shù)區(qū)。 當內(nèi)部產(chǎn)生熱不平衡時，局部溫度升高，導(dǎo)致這些區(qū)域的vgs降低。而流過這些區(qū)域單元的電流卻進一步增加，使功耗增加，進而促使溫度又進一步上升。其溫度上升取決于功率脈沖電流的持續(xù)時間、散熱條件和功率mos單元的設(shè)計特性，熱失衡導(dǎo)致大電流集中到一個局部區(qū)域，形成熔絲效應(yīng)，產(chǎn)生局部熱點，最后導(dǎo)致這些區(qū)域單元的柵極失控，功率mos內(nèi)部寄生的三極導(dǎo)通，從而損壞器件。 3 設(shè)計參數(shù)優(yōu)化及器件選擇 3.1 封裝及熱阻的影響 基于圖1（a）的電路圖，以ao4407a和aod413a做對比實驗，輸入電壓為12 v，兩個元件的參數(shù)如表1所示。ao4407a的封裝為so8，aod413a封裝為to252。aod413a的封裝體積大，其熱阻小，允許耗散的功率大。由于c1遠大于兩個元件的輸入電容，c2遠大于兩個元件的米勒電容，因此在電路中，元件本身的輸入電容和米勒電容可以忽略。如果外部的元件參數(shù)相同，在電路中用ao4407a和aod413a，則兩者基本上具有相同的米勒平臺的時間，如圖2（a）、（b）所示。 為了對比aod413a和ao4407a抗熱沖擊的能力，延長米勒平臺的
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