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ao4468中文資料

  • 功率MOSFET的開關(guān)損耗之探討

    電壓和漏極電流保持比例的關(guān)系,漏極電流恒定,因此柵極電壓也保持恒定,這樣?xùn)艠O電壓不變,柵源極間的電容不再流過(guò)電流,驅(qū)動(dòng)的電流全部流過(guò)米勒電容。過(guò)了米勒平臺(tái)后,mosfet完全導(dǎo)通,柵極電壓和漏極電流不再受轉(zhuǎn)移特性的約束,就繼續(xù)地增大,直到等于驅(qū)動(dòng)電路的電源的電壓。 mosfet開通損耗主要發(fā)生在t2和t3時(shí)間段。下面以一個(gè)具體的實(shí)例計(jì)算。輸入電壓12v,輸出電壓3.3v/6a,開關(guān)頻率350khz,pwm柵極驅(qū)動(dòng)器電壓為5v,導(dǎo)通電阻1.5ω,關(guān)斷的下拉電阻為0.5ω,所用的mosfet為ao4468,具體參數(shù)為ciss=955pf,coss=145pf,crss=112pf,rg=0.5ω;當(dāng)vgs=4.5v,qg=9nc;當(dāng)vgs=10v,qg=17nc,qgd=4.7nc,qgs=3.4nc;當(dāng)vgs=5v且id=11.6a,跨導(dǎo)gfs=19s;當(dāng)vds=vgs且id=250μa,vth=2v;當(dāng)vgs=4.5v且id=10a,rds(on)=17.4mω。 開通時(shí)米勒平臺(tái)電壓vgp: 計(jì)算可以得到電感l(wèi)=4.7μh.,滿載時(shí)電感的峰峰電流為1.454a,電感的谷點(diǎn)電流

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