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主營(yíng)內(nèi)存.閃存全系列 ，歡迎咨詢(xún)
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SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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samsung電子公司推出業(yè)界首個(gè)60nm 8gb nand閃存儲(chǔ)器k9w8g08u1m,用作存儲(chǔ)媒體如用在移動(dòng)設(shè)備的低容量移動(dòng)硬盤(pán). nand閃存技術(shù),平均每12個(gè)月增加容量一倍.在1999年為256mb,2000年則增加到512mb,2001年為1gb,2002年為2gb,2003年為4gb,現(xiàn)在2004年則為8gb. 開(kāi)發(fā)這樣高容量和精細(xì)的電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)是3d單元晶體管結(jié)構(gòu)和高介質(zhì)柵絕緣技術(shù).此外,通過(guò)廣泛使用的krf光刻印刷術(shù),每位的成本降低了50%. samsung在60nm技術(shù)中通過(guò)采用多級(jí)單元(mlc)技術(shù),進(jìn)一步增強(qiáng)了這種技術(shù).新的8gb mlc nand閃存擴(kuò)充了samsung閃存系列產(chǎn)品,滿(mǎn)足對(duì)有效率和高性?xún)r(jià)比的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求.mlc技術(shù)還給設(shè)計(jì)者提拔供了低功耗小形狀系數(shù)存儲(chǔ)解決方案的有競(jìng)爭(zhēng)力的選擇,使低容量移動(dòng)內(nèi)硬盤(pán)能用在緊湊的移動(dòng)設(shè)計(jì)中. k9w8g08u1m是采用兩個(gè)4gb的k9k4g08u0m堆棧起來(lái)的,48引腳tsop封裝(12x12mm,間距0.5mm),有(512m+16384k)x8位或(256m+8192k)x16位兩種配置,工作電
電源電壓：Vcc＝2.7～3.6V； 結(jié)構(gòu)：存儲(chǔ)器單元陣列：(512M＋16384K)×8位,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：(2K＋64)×8位,緩存存儲(chǔ)器：(2K＋M)×8位； 自動(dòng)編程和擦除：頁(yè)編程：(2K＋64)字節(jié),塊擦除：(128K＋4K)字節(jié)； 頁(yè)讀操作：頁(yè)大?。?KB,隨機(jī)存?。?5μs(最大值),串行訪問(wèn)：30ns(最小值)； 快速寫(xiě)周期時(shí)間：編程時(shí)間：300μs(典型值),塊擦除時(shí)間：2ms(典型值)；指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口； 硬件數(shù)據(jù)保護(hù)：在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中編程/擦除鎖定； 可靠的CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù),100k次編程/擦除周期,10年的數(shù)據(jù)保留 時(shí)間； 指令存儲(chǔ)器操作；上電自讀操作； 封裝：48引腳的TSOP封裝
K9WAG08U1M K9WBG08U1M KA10 KA1M0380R KA1M0680R KA1M0880 KA2101 KA2107 KA2131 KA2138
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