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新日本無線開發(fā)完成設有旁通電路低噪聲放大器
就是能滿足這種要求的設有旁通電路低噪聲放大器。用于900mhz頻段w-cdma模式手機終端。 njg1138ha8是由低噪聲放大電路、旁通電路、控制用邏輯電路構成的低噪聲放大器。具有內置高線形性、低消耗電流、esd保護電路等特征，并且為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強磁場輸入時所造成的放大器視失真，設置了不經過放大電路的旁通模式(low gain模式)。通過使用高性能hj fet工藝，njg1138ha8即實現了高線形性 (iip3 0dbm typ.@vctl=1.8v, frf =942.5mhz)和低消耗電流(2.3ma ty p.@vctl=1.8v)。內置保護元件，用hbm(human body model)方法，njg1138ha8實現了2000v以上的高esd(electrostatic discharge)靜電耐壓產品性能及特點概要 ●低工作電壓：+2.8v typ. ●低控制電壓：+1.8v typ. [high gain 模式] ●低消耗電流：2.3ma typ.@vctl=1.8v ●高增益：16.0db typ.@vctl=1.8v,
NDK的SAW濾波器支持PCS、GSM、EGSM和DCS等多種標準
n dempa kogyo(ndk)公司近日推出系列微型saw濾波器。該產品具有非平衡至平衡轉換功能，尺寸為2×1.6×0.6mm，并符合pcs、gsm、egsm及dcs等國際移動電話標準。wf752c1960pd saw濾波器為pcs 1900應用而設計，標稱頻率為1,960mhz，插入損耗2.3db，帶內紋波0.7db；wf753c0881pd主要面向gsm 850應用，標稱頻率881.5mhz，插入損耗1.9db，帶內紋波0.7db；wf755c0942pd適用于egsm 900，標稱頻率942.5mhz，插入損耗2.3db，帶內紋波0.9db。
無需與接地層相連的EMI濾波器
被丟棄的高頻成分就可能在接地層產生電勢差，進而形成新的噪聲輻射源。從這個意義上說，這些濾波器只能用于接地層阻抗非常低的情況。問題正如murata manufacturing公司所指出的：“許多情況下，在手機等小型設備中不太可能有足夠大面積的接地層。事實上，人們在開發(fā)這些設備的過程中發(fā)現，確實存在盡管插入了emi濾波器但電磁噪聲輻射卻沒有降低的情況?！?圖1：插入損失的頻率特性兩款器件對應不同諧振頻率的插入損失特性。例如，nfa2asn907aa4l的插入損失在942.5mhz達到最小值22db，在1.8425ghz達到最小值18db。利用lc諧振電路捕獲噪聲為了攻克這個難題，murata manufacturing有限公司開發(fā)了不需要連接到接地層的nfa2asn系列emi濾波器。這種濾波器由電感(l)和電容(c)并聯(lián)組成，通過“誘捕”來消除不需要的頻率成分(圖1)。每一組由兩個諧振電路串連而成，每個電路的lc特征值不同，換句話說，就是有兩個不同的“陷阱”(圖2)。這些濾波器的目標應用是降低手機翻蓋連接處柔性印制電路板(fpc)發(fā)出的emi。murat

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