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詳解MOSFET的驅(qū)動技術(shù)及應(yīng)用
候的的啟動電流。驅(qū)動源參數(shù)為12v ，100khz， d=0.5。驅(qū)動變壓器電感量為200uh，匝比為1：1。圖23 紅色波形為驅(qū)動源v1的輸出，綠色為q1的g級波形?？梢钥吹剑琿1-g的波形為具有正負電壓的方波，幅值6v了。為什么驅(qū)動電壓會下降呢，是因為v1的電壓直流分量，完全被c1阻擋了。所以c1也稱為隔直電容。下圖為c1上的電壓。圖24 其平均電壓為6v，但是峰峰值，卻有2v，顯然c1不夠大，導(dǎo)致驅(qū)動信號最終不夠平。那么把c1變?yōu)?70n。q1-g的電壓波形就變成如下：圖25 驅(qū)動電壓變得平緩了些。如果把驅(qū)動變壓器的電感量增加到500uh。驅(qū)動信號就如下圖：圖26 驅(qū)動信號顯得更為平緩。從這里可以看到，這種驅(qū)動，有個明顯的特點，就是驅(qū)動電平，最終到達mos的時候，電壓幅度減小了，具體減小多少呢，應(yīng)該是d*v，d為占空比，那么如果d很大的話，驅(qū)動電壓就會變得很小，如下圖，d=0.9 圖27 發(fā)現(xiàn)驅(qū)動到達mos的時候，正壓不到2v了。顯然這種驅(qū)動不適合占空比大的情況。從上面可以

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k7、4k99、49k9≤1m 整數(shù)表示為 xxm，例如1m、10m 包含小數(shù)表示為xmx，例如4m7、2m2電阻如只標數(shù)值，則代表其功率低于1/4w。如果其功率大于1/4w，則需要標明實際功率。為區(qū)別電阻種類可在其后標明: cf碳膜、mf金屬膜、pf氧化膜、fs熔斷、ce瓷殼。電容≤1pf 以小數(shù)加p表示，例如0p47≤999pf 整數(shù)表示為 xxp，例如100p、470p 包含小數(shù)表示為xpx，例如4p7、6p8≤999nf 整數(shù)表示為 xxn，例如100n、470n 包含小數(shù)表示為xnx，例如4n7、6n8 習慣上，接近1uf的電容也可以以0.xxu表示，例如0.1u、0.22u≥1uf 整數(shù)表示為 xxu，例如100u、470u、1000u 包含小數(shù)表示為xux，例如4u7、6u8習慣上，大于1000uf的也可以xm表示，1m=1000u容值后標明耐壓，以“/”與容值隔開。電解電容必須標明耐壓，其他介質(zhì)電容，如不標明耐壓，則缺省定義為“耐壓63v”。電感的電感量標法同電容容量標法。二、三極管、集成電路以及繼電器等標實際型號即可，如有特殊要求

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