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35NC
1001
DIP/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
35NC
6500
CCD20/2025+
一級(jí)代理，原裝假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
35NC
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
35NC
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
35NC
80000
-/2024+
原裝現(xiàn)貨
35NC
3688
-/15+
汕頭/深圳均有
電壓紋波有限制，選擇一款最小化esr的電容(或一組并聯(lián)電容器)就變得十分重要。當(dāng)然，電容器必須有足夠的電壓等級(jí)。根據(jù)這些要求，就可以從供應(yīng)商的電容器清單中選出最合適的方案。最后要注意的一點(diǎn)是，要對(duì)esr數(shù)據(jù)加以更多的關(guān)注，因?yàn)閿?shù)據(jù)表里的esr數(shù)據(jù)可能并不是在你所選用的開(kāi)關(guān)頻率下得出的。請(qǐng)檢查數(shù)據(jù)表，查看調(diào)整過(guò)的esr數(shù)值。 一般根據(jù)rds(on)、柵極電荷和熱管理需求來(lái)選擇mosfet。查看幾家制造商的數(shù)據(jù)表，可以選擇象infineon bsc050n03ls這樣的器件，該器件的柵極電荷為35nc，高邊mosfet的rds(on)為5mω。對(duì)應(yīng)地，可以選擇rds(on)為1.6mω的低邊mosfet(bsc016)。 使環(huán)路閉合 前面已經(jīng)討論過(guò)，輸出要反饋到輸入端，這樣就產(chǎn)生了一個(gè)補(bǔ)償環(huán)路。補(bǔ)償?shù)姆绞接泻芏喾N，比如type i、type ii和type iii。type i是單極點(diǎn)方案，type ii是帶有一個(gè)零點(diǎn)的雙極點(diǎn)方案，type iii是帶有兩個(gè)零點(diǎn)的三極點(diǎn)方案。每種方案的元器件數(shù)量都比前一種要多，不過(guò)也使得設(shè)計(jì)靈活性更好。從性能考慮，通常將這個(gè)環(huán)路的帶寬設(shè)置為大約是
pfc應(yīng)用中的平均整體功率損耗減少了22%。 8s2th06i-m的反向恢復(fù)時(shí)間為11ns，再加上hyperfast技術(shù)的開(kāi)關(guān)性能和在8a電流時(shí)的2.1v前向電壓降，使該器件能夠在更高的頻率下工作，從而提高整體系統(tǒng)效率。2引腳的to-220封裝使器件在120℃的外殼溫度下能輸出8a的直流電流，同時(shí)絕緣電壓高于2kv。陶瓷絕緣to-220封裝很容易與非絕緣的部件安裝在一起，對(duì)結(jié)至外殼的2.3℃/w基準(zhǔn)熱阻則影響甚小。 8s2th06i-m在25℃和125℃下的反向恢復(fù)電荷為7nc和35nc，使qrr和前向電壓降間做性能折中時(shí)能有大幅改善。這樣就可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻工作和更低的損耗，從而減小散熱片和無(wú)源器件的尺寸。同樣，8s2th06i-m的175℃工作結(jié)溫能夠?qū)崿F(xiàn)更穩(wěn)固和更具成本效益的設(shè)計(jì)方案，這比競(jìng)爭(zhēng)器件的150℃最高溫度等級(jí)足足提高了15%。 器件規(guī)格表 編號(hào) 8s2th06i-m if(av) 8 a @ tc 120 °c vf @ 125 °c (典型) 2.1 at 8 a qrr @ 125 °c，在額
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