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Infrared Emitting Diodes (IRED)
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旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)由稀土永磁直流力矩電機(jī)(6)經(jīng)楔型皮帶直接驅(qū)動(dòng)，在完成自身旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，隨滑塊一起上下運(yùn)動(dòng)。籽晶桿的位置和提純的長(zhǎng)度可由側(cè)面的標(biāo)尺讀出。另外，在籽晶桿的上下極限位置設(shè)有自動(dòng)報(bào)警裝置，當(dāng)超過(guò)籽晶桿的極限位置時(shí)，自動(dòng)報(bào)警，以確保設(shè)備的安全性。下傳動(dòng)的結(jié)構(gòu)與傳動(dòng)原理與上傳動(dòng)相同，不再贅述。三、機(jī)械結(jié)構(gòu)特點(diǎn)tdl—fz50型區(qū)熔爐是根據(jù)我校多年 的成熟經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)而成的。結(jié)構(gòu)合理，傳動(dòng)性能穩(wěn)定，有先進(jìn)的電控技術(shù)，操作簡(jiǎn)便，安全可靠。1、主爐體結(jié)構(gòu)本設(shè)備的主爐體由爐室和爐門構(gòu)成。爐室為圓柱形雙層不銹鋼(304l）水冷焊接結(jié)構(gòu)，內(nèi)壁全部采用雙面氬弧焊，并經(jīng)過(guò)加熱去應(yīng)力處理，提高了其抗腐蝕性能。爐門為弧形雙層水冷結(jié)構(gòu)，并在爐門中部設(shè)有觀察窗，便于在提純工作進(jìn)行中，觀察爐內(nèi)的工作狀態(tài)。爐室與爐門之間通過(guò)鉸鏈連接，并且有密封裝置，這樣保證了爐體在工作過(guò)程中的密封性。爐體上設(shè)有熱偶測(cè)溫口，以便采用熱偶對(duì)溫度場(chǎng)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。爐體的后方連接三通管道，下口與真空機(jī)組相連，后口為感應(yīng)加熱電源引入口。爐膛底部設(shè)有兩個(gè)電極，并配有安裝感應(yīng)線圈的支桿，可進(jìn)行小范圍的高度調(diào)節(jié)。籽晶桿和坩堝桿分別通過(guò)爐體頂部和底部的密封裝置，伸進(jìn)爐
0系列鈮酸鋰鉭酸鋰晶體爐、tdl－f40型釩酸釔晶體爐, tdl－fz50 型區(qū)域熔化提純爐等。以上各種晶體生長(zhǎng)設(shè)備的運(yùn)動(dòng)精度、控制精度及其它性能指標(biāo)都有很大的提高，它們共同的性能特點(diǎn)如下：1．采用精密的直線導(dǎo)軌、滾珠絲杠作為主要運(yùn)動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，保證了機(jī)構(gòu)運(yùn)行的穩(wěn)定可靠，提高了工作運(yùn)動(dòng)精度。2．采用10000：1大減速比的精密減速機(jī)構(gòu)進(jìn)行傳動(dòng)，保證了慢速工作的穩(wěn)定性。3．具有轉(zhuǎn)速程序控制功能，能夠更好地滿足晶體生長(zhǎng)的工藝需要。4．具有溫度程序控制功能，可以根據(jù)工藝需要設(shè)定溫度曲線。5．真空爐室選用304l優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料，爐室內(nèi)壁采用雙面焊接工藝，提高了設(shè)備的使用壽命。西安理工大學(xué)工廠開發(fā)的激光晶體和非線性光學(xué)晶體材料生長(zhǎng)設(shè)備主要性能指標(biāo)（如表二）：technical data of developed laser and nonlinear optic crystal growing equipment for xi''an university of technology二、人工晶體生長(zhǎng)設(shè)備的現(xiàn)狀（一）、半導(dǎo)體硅材料生長(zhǎng)設(shè)備目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體硅材料生長(zhǎng)設(shè)備有400多臺(tái)，其中4"以上的生長(zhǎng)設(shè)備有30
一次封排工藝，提高了真空滅弧室的真空度，有效激活吸氣劑，內(nèi)部零件的除氣更加徹底，有利于真空度的長(zhǎng)期維持，也有利于用儲(chǔ)存檢漏法查出慢漏的真空滅弧室。一次封排工藝大大簡(jiǎn)化了真空滅弧室的結(jié)構(gòu)，減少了真空密封焊縫，減少了漏氣的可能性。一次封排工藝在很大程度上排除了人為因素的影響，提高了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性。因之，一次封排工藝，不僅提高了滅弧室的質(zhì)量，同時(shí)大幅度提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。 真空滅弧室都采用了不銹鋼波紋管。以前常用的不銹鋼牌號(hào)為1cr18ni9ti，現(xiàn)常用的牌號(hào)為0cr18ni9（或304l）。1cr18ni9ti不銹鋼含碳量較高，為0.1%左右。這些碳在常溫下過(guò)飽和地固溶在奧氏體中。當(dāng)1cr18ni9ti不銹鋼被加熱至550800℃時(shí)過(guò)飽和的碳以鉻的碳化物的形式在晶界上析出。晶界上的鉻的碳化物很容易和酸反應(yīng)造成點(diǎn)腐蝕和晶間腐蝕。而鉻的碳化物析出溫度正好包含了真空滅弧室的釬焊溫度，因而滅弧室的釬焊就會(huì)造成1cr18ni9ti不銹鋼鉻的碳化物析出。這很容易導(dǎo)致在使用過(guò)程中真空滅弧室漏氣。而0c18ni9或304l不銹鋼的含碳量低于0.03%，這時(shí)碳的含量接近于碳在奧氏體中溶解度，因而
一次封排工藝，提高了真空滅弧室的真空度，有效激活吸氣劑，內(nèi)部零件的除氣更加徹底，有利于真空度的長(zhǎng)期維持，也有利于用儲(chǔ)存檢漏法查出慢漏的真空滅弧室。一次封排工藝大大簡(jiǎn)化了真空滅弧室的結(jié)構(gòu)，減少了真空密封焊縫，減少了漏氣的可能性。一次封排工藝在很大程度上排除了人為因素的影響，提高了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性。因之，一次封排工藝，不僅提高了滅弧室的質(zhì)量，同時(shí)大幅度提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。 真空滅弧室都采用了不銹鋼波紋管。以前常用的不銹鋼牌號(hào)為1cr18ni9ti，現(xiàn)常用的牌號(hào)為0cr18ni9（或304l）。1cr18ni9ti不銹鋼含碳量較高，為0.1%左右。這些碳在常溫下過(guò)飽和地固溶在奧氏體中。當(dāng)1cr18ni9ti不銹鋼被加熱至550800℃時(shí)過(guò)飽和的碳以鉻的碳化物的形式在晶界上析出。晶界上的鉻的碳化物很容易和酸反應(yīng)造成點(diǎn)腐蝕和晶間腐蝕。而鉻的碳化物析出溫度正好包含了真空滅弧室的釬焊溫度，因而滅弧室的釬焊就會(huì)造成1cr18ni9ti不銹鋼鉻的碳化物析出。這很容易導(dǎo)致在使用過(guò)程中真空滅弧室漏氣。而0c18ni9或304l不銹鋼的含碳量低于0.03%，這時(shí)碳的含量接近于碳在奧氏體中溶解度，因而
最大特點(diǎn)是合金元素含量比較高,超過(guò)10%,有的甚至超過(guò)50%,根據(jù)常溫組織的不同分為奧氏體型、奧氏體-鐵素體雙相型、鐵素體型、馬氏體型、沉淀硬化型五類。對(duì)于奧氏體型又可以根據(jù)含碳量的不同分為高碳型（0.04%~0.12%），低碳型（≤0.08%）和超低碳型（≤0.03％）三種；奧氏體不銹鋼由于其優(yōu)良的性能在工程中應(yīng)用尤為重要，其特點(diǎn)是耐腐蝕，耐高溫、耐低溫、同時(shí)可以做到較高強(qiáng)度，根據(jù)gb1220標(biāo)準(zhǔn)共給出了33種奧氏體不銹鋼的材料牌號(hào)，常用牌號(hào)有0cr18ni9（304）、00cr19ni10（304l）、0cr17ni12mo2（316）、0cr17ni14mo2（316l）、ocr18ni10ti（321）等；根據(jù)成分的不同，性能各不相同，甚至相差很大，從而應(yīng)用場(chǎng)合也不一樣！
作為全球常規(guī)傳感器與技術(shù)方面的領(lǐng)先供應(yīng)商，kavlico公司推出了一系列密封型工業(yè)用壓力傳感器，這種傳感器在一個(gè)全焊接304l 不銹鋼外殼內(nèi)采用了一個(gè)不銹鋼膜片，非常適用于惡劣的環(huán)境條件。該類傳感器還采用了kavlico公司的充油壓阻傳感技術(shù)以及先進(jìn)的專用集成電路。它們具有堅(jiān)固可靠的結(jié)構(gòu)，能夠適用于多種與不銹鋼兼容的液體和氣體介質(zhì)。 此次推出的p251/p251r型新傳感器，壓力范圍為0–100到0–5000 psi絕壓或密封壓，而p250/p250r型傳感器壓力測(cè)試范圍在0–6到0–400 bar。p250/p251傳感器采用直流5 v的工作電壓，比例性放大電壓0.5到4.5 v直流輸出，大小與壓力成正比。而p250r/p251r帶有一個(gè)內(nèi)部穩(wěn)壓器，工作電壓為直流9到32 v，線性放大穩(wěn)壓輸出為直流0-5v或0-10v，電壓大小與壓力成正比。而pt250r/pt251，工作電壓為直流9到32 v，線性放大穩(wěn)壓輸出為4-20ma，大小與壓力成正比。每個(gè)傳感器都帶有溫度補(bǔ)償，具有良好的電磁兼容/射頻干擾抑制能力。這些傳感器性能可靠，安全過(guò)壓能力達(dá)到了滿量程的2倍以上，能夠用于具有較大過(guò)
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