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1 簡介 本文介紹的單片機(jī)多機(jī)并行通訊系統(tǒng)，使用89c51作為主機(jī)，多片89c2051作為從機(jī)。（89c2051為20腳300mil封裝，帶有2k flash e2prom的單片機(jī)，除了少了兩個(gè)并口外，具備mcs-51系列單片機(jī)所有功能。因?yàn)槠潴w積小，功能強(qiáng)，必將在單片機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)廣泛使用）。這種并行通訊方法適用于在多站點(diǎn)，多層次的檢測和控制系統(tǒng)中充當(dāng)通信控制器的角色；也適合于用作單片機(jī)串行口擴(kuò)充電路。 圖1 芯片的邏輯圖及四種工作狀態(tài) 圖2 單片機(jī)并行通信原理框圖 2 三態(tài)總線緩沖寄存器74hc646 在單片機(jī)構(gòu)成的多機(jī)并行通訊系統(tǒng)中，總線上的信息交換一般采用pio（并行接口）和雙端口寄存器等方法，并輔助以總線仲裁電路。通常使用的并行接口芯片有8155，8255等。本文介紹一種簡單的并行接口電路，它既能取代8255等芯片，還能使電路結(jié)構(gòu)更加簡單和緊湊。該電路由一片74hc74和一片74hc646（300mil窄封裝）構(gòu)成。 74hc646是三態(tài)總線緩沖寄存器，其實(shí)也是一個(gè)雙端口共享存儲器，只是共享存儲區(qū)很小的，僅有一個(gè)數(shù)據(jù)輸
6mb和32mb兩種容量，提供封裝體積較小、可有效節(jié)省成本的208mil so8封裝。w25x16和w25x32與華邦受歡迎的w25x10/20/40/80 (從1mb到8mb的串口式閃存)為同一產(chǎn)品系列，在整個(gè)記憶結(jié)構(gòu)方面是以高性能和可靈活運(yùn)用的4kb sector為特色。w25x16 和w25x32的應(yīng)用產(chǎn)品包括dvd光儲存、 桌上型和筆記型計(jì)算機(jī)、wlan 設(shè)備、dsl 調(diào)制解調(diào)器、打印機(jī)，無繩電話機(jī)等。 一般容量比16mb(含)大的高容量串行式閃存僅提供較大及較貴的16-pins 300mil so16封裝。而華邦w25x16和w25x32則提供8-pins 208mil 的so8封裝, 其面積相當(dāng)于16-pins soic一半，可縮小并簡化印刷電路板的設(shè)計(jì)。 w25x16和w25x32支持標(biāo)準(zhǔn)的spi讀取數(shù)據(jù)速度達(dá)75mhz 。采用雙重輸出(dual output) 讀取功能，其傳輸速率可達(dá)150mhz(>18mb/sec)，在相同的4個(gè)spi接腳下，每個(gè)頻率可提供2位數(shù)據(jù)輸出。用25x「雙重輸出(dual output) spi」可提供高性能的串口式閃存，容許更加快速
由于耦合信號的頻率成分比入侵信號的頻率成分更高，所以其損耗比原始的gbps信號受到的損耗要大，自然對噪聲指標(biāo)的影響就降低了。 大多數(shù)版圖設(shè)計(jì)工具根據(jù)由布線幾何形狀和材料決定的耦合系數(shù)來估算耦合的影響，這就導(dǎo)出了限制平行距離的線性估計(jì)公式，它降低了布線密度。事實(shí)上，在長的布線上耦合會(huì)達(dá)到飽和狀態(tài)。在估算過程中忽略飽和效應(yīng)會(huì)導(dǎo)出比需要量更密的布線設(shè)計(jì)規(guī)則。為此，要采用specctraquest進(jìn)行全面的仿真以決定設(shè)計(jì)中的耦合規(guī)則。 對于2.5gbps數(shù)據(jù)，上升時(shí)間的典型值是150ps，飽和長度大約是300mil，這就是說，實(shí)際耦合線可以長于300mil而不增加耦合預(yù)算值。表2顯示了2.5gbps速率、擺幅500mv、上升時(shí)間為110ps的信號的耦合飽和參數(shù)和損耗。耦合在大約300-400mil處達(dá)到飽和，因?yàn)閾p耗使其幅度在長布線上出現(xiàn)較大衰減。根據(jù)這一規(guī)律，設(shè)計(jì)工程師可以更有效地布線，而這一點(diǎn)比許多版圖設(shè)計(jì)工具給出的設(shè)計(jì)規(guī)則更有效。 用maxwell 2d/3d設(shè)計(jì)復(fù)雜布線結(jié)構(gòu) 對于傳輸速率在10g到12.5gpbs的較高速率，fr-4板材會(huì)產(chǎn)生很大的損耗，要采用其它損耗特性更佳的板材。如圖1所示為一
ramtron international公司宣布推出新款的平行f-ram內(nèi)存fm14c88，它可滿足磁盤陣列(raid)儲存服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡(hba card)等應(yīng)用需求。 與nvsram相較，fm14c88的讀寫速度更快，工作電壓更低。fm14c88的容量為256kb、工作電壓為2.0至3.6v，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳soic封裝，具有高速存取、無延遲寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是取代bbsram (電池供電的sram)或非揮發(fā)性sram (nvsram)等內(nèi)存的理想方案。 fm14c88是一款采用32k×8配置的標(biāo)準(zhǔn)平行非揮發(fā)性鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(f-ram)，讀寫作業(yè)與標(biāo)準(zhǔn)sram相似，能夠在斷電后保存資料，并提供超過635年(55℃)的資料保存能力，避免了bbsram (電池供電的sram)或非揮發(fā)性sram (nvsram)方案中電池、電容器的不可靠性、高成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。f-ram具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1014次)等特點(diǎn)，使其成為raid儲存服務(wù)器及產(chǎn)業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的理想選擇。 fm14c88在系統(tǒng)
鐘線，每條過孔數(shù)不要超過2個(gè)，平均不得超過1.5個(gè)。 2.3)頻率小于66m的時(shí)鐘線，每條過孔數(shù)不要超過3個(gè)，平均不得超過2.5個(gè) 2.4)長度超過12inch的時(shí)鐘線，如果頻率大于20m，過孔數(shù)不得超過2個(gè)。 2.5)如果時(shí)鐘線有過孔，在過孔的相鄰位置，在第二層（地層）和第三層（電源層）之間加一個(gè)旁路電容、如圖2.5-1所示，以確保時(shí)鐘線換層后，參考層（相鄰層）的高頻電流的回路連續(xù)。旁路電容所在的電源層必須是過孔穿過的電源層，并盡可能地靠近過孔，旁路電容與過孔的間距最大不超過300mil。 2.6)所有時(shí)鐘線原則上不可以穿島。下面列舉了穿島的四種情形。 2.6.1) 跨島出現(xiàn)在電源島與電源島之間。此時(shí)時(shí)鐘線在第四層的背面走線，第三層(電源層)有兩個(gè)電源島，且第四層的走線必須跨過這兩個(gè)島. 2.6.2) 跨島出現(xiàn)在電源島與地島之間。此時(shí)時(shí)鐘線在第四層的背面走線，第三層(電源層)的一個(gè)電源島中間有一塊地島，且第四層的走線必須跨過這兩個(gè)島。 2.6.3) 跨島出現(xiàn)在地島與地層之間。此時(shí)時(shí)鐘線在第一層走線，第二層(地層)的中間有一塊地島，且第一層的走線必須跨過地
繼w25x10/20/40/80(從1mb到8mb)熱銷后，華邦電子進(jìn)一步推出更高容量的w25x16(16mb)和w25x32(32mb)產(chǎn)品，串列式閃存可應(yīng)用范圍包括dvd光存貯、臺式機(jī)和筆記本電腦、wlan設(shè)備、dsl調(diào)制解調(diào)器、打印機(jī)，無線電話機(jī)等。 16mb和32mb均可提供包裝小成本低8個(gè)引腳的208mil so8封裝，更高容量的串列式快閃存貯器(比16mb更大的容量)通常不能使用8個(gè)引腳, 而采用包裝大成本高16個(gè)引腳的300mil so16封裝。華邦的w25x16和w25x32的封裝面積相當(dāng)于16個(gè)引腳soic的一半，可使用8個(gè)引腳208mil so8在更小和更簡單的印刷電路板上。so8也考慮到以相同腳位可適用4mb到32mb的容量。 w25x16和w25x32支援標(biāo)準(zhǔn)的spi接口，讀取資料速度達(dá)75mhz的時(shí)鐘。采用雙重輸出(dual output)讀取功能，其傳輸速率可高達(dá)150mhz時(shí)脈(>18mb/秒)，即在相同的4個(gè)spi腳位下，每個(gè)時(shí)脈可提供2位資料輸出。采用25x“雙重輸出(dual output) spi”的功能，可提供高性能的串列式閃存
ramtron international公司宣布推出新款的平行f-ram內(nèi)存fm14c88，它可滿足磁盤陣列(raid)儲存服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡(hba card)等應(yīng)用需求。 與nvsram相較，fm14c88的讀寫速度更快，工作電壓更低。fm14c88的容量為256kb、工作電壓為2.0至3.6v，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳soic封裝，具有高速存取、無延遲寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是取代bbsram (電池供電的sram)或非揮發(fā)性sram (nvsram)等內(nèi)存的理想方案。 fm14c88是一款采用32k×8配置的標(biāo)準(zhǔn)平行非揮發(fā)性鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(f-ram)，讀寫作業(yè)與標(biāo)準(zhǔn)sram相似，能夠在斷電后保存資料，并提供超過635年(55℃)的資料保存能力，避免了bbsram (電池供電的sram)或非揮發(fā)性sram (nvsram)方案中電池、電容器的不可靠性、高成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。f-ram具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1014次)等特點(diǎn)，使其成為raid儲存服務(wù)器及產(chǎn)業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的理想選擇。 fm14c88在系統(tǒng)
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (f-ram) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商ramtron international corporation推出并口f-ram存儲器fm14c88，適合raid(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (hba card) 等應(yīng)用。 與nvsram相比，fm14c88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。fm14c88 的容量為256kb、工作電壓為2.0至3.6v，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳soic封裝，具有高速訪問、無延遲(nodelay?) 寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是取代bbsram (電池供電的sram) 或非易失性sram (nvsram)等存儲器的理想方案。 ramtron市場拓展經(jīng)理李鴻鈞稱：“fm14c88的引腳和功能與cy14b256l和 stk14c88-3 等nvsram兼容，具有實(shí)時(shí)非易失性寫入和快速上電運(yùn)作等優(yōu)勢，不像nvsram需要大電容或bbsram需要電池來支持?jǐn)嚯姇r(shí)的數(shù)據(jù)存儲。對比bbsram和nvsram等方案, fm14c88更能節(jié)省成本和基板空間，簡化生產(chǎn)，提高產(chǎn)品的可靠性?！?關(guān)于f
在某些應(yīng)用領(lǐng)域可代替dram。 另外，提供定制的軟件驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及閃存文件系統(tǒng)軟件spansion ffs，后者可自動(dòng)管理讀寫、擦除閃存等操作，為并行及串行nor閃存提供提供快速讀寫能力。 fl-s系列可應(yīng)用于實(shí)時(shí)3d顯示儀表盤和車載娛樂系統(tǒng)等汽車電子、數(shù)字電視和機(jī)頂盒等消費(fèi)電子、智能電表、wimax系統(tǒng)。 128mb和256mb fl-s閃存現(xiàn)已提供樣片，將于10月投產(chǎn)。512mb及1gb產(chǎn)品將分別在2011年四季度及2012年二季度投產(chǎn)。 封裝方面，采用16引腳so封裝（300mil），8引腳so封裝（128mb預(yù)計(jì)尺寸208mil），6x8mm的8引腳wson封裝（128mb及256mb），6x8mm的24球bga封裝。
釋道，“ds4026在校準(zhǔn)器件的時(shí)候可檢測到頻率波動(dòng)。隨后器件消除了頻率波動(dòng)對系統(tǒng)整體性能的影響。” 其他系統(tǒng)特性 ds4026數(shù)字tcxo還具有很多其他tcxo所沒有的獨(dú)特的功能和特性。包括±3℃精度、可輸出讀數(shù)的溫度傳感器、16位dsp控制dac，可實(shí)現(xiàn)頻率穩(wěn)定、定時(shí)以及校準(zhǔn)功能。頻率調(diào)整以及溫度讀數(shù)通過i2c控制接口實(shí)現(xiàn)。ds4026的頻率可以以優(yōu)于1ppb的分辨率進(jìn)行調(diào)整，整個(gè)可調(diào)范圍大于±10ppm。器件工作在3.3v±5%的電源電壓下，采用標(biāo)準(zhǔn)的300mil 16引腳so封裝。該器件完全兼容rohs規(guī)范，可提供商業(yè)級和工業(yè)級溫度版本。 該tcxo可以支持要求具有超高精度和穩(wěn)定時(shí)基的應(yīng)用，例如無線基礎(chǔ)機(jī)構(gòu)應(yīng)用、sonet/sdh系統(tǒng)、儀表和測試系統(tǒng)以及gps導(dǎo)航設(shè)備。 ds4026起價(jià)為$20.00(10k片起，美國離岸價(jià))?，F(xiàn)備有樣品。
是這樣的：有一個(gè)元器件，比較特殊，我的protel dxp里面沒有于是自己制作原理圖庫和pcb封裝庫，從而制作集成庫制作原理圖庫的時(shí)候，比較簡單吧，是不是自己畫個(gè)矩形，再畫上所有的管腳就可以了？制作pcb封裝庫的時(shí)候，我是用制作向?qū)е谱鞯模鞘褂孟驅(qū)У臅r(shí)候，不知道該如何修改焊點(diǎn)規(guī)格設(shè)定具體來說：我的那個(gè)器件是dip封裝，20個(gè)管腳，但是管腳之間距離比較窄，50mil（1.27mm）；管教較細(xì)（0.3mmx0.25mm），兩列管腳趾間為距離300mil，50mil和300mil都設(shè)定好了，就是不知道焊點(diǎn)該如何設(shè)定過孔大小一定要大于0.3mm吧？但是大的太多也不行吧？誰幫我選個(gè)最常用的值吧？我怕自己選的不是最常用的，讓人家制作pcb的人看笑話
dip8的應(yīng)該都一樣的。都是窄的，還沒見過寬的dip8 ^_^dip有兩種，一種是窄的，列寬300mil，另一種是寬的，列寬是600mil．管腳間距都是一樣的，都是100mil.
)前面的電平標(biāo)準(zhǔn)擺幅都比較大，為降低電磁輻射，同時(shí)提高開關(guān)速度又推出lvds電平標(biāo)準(zhǔn)。lvds：low voltage differential signaling 差分對輸入輸出，內(nèi)部有一個(gè)恒流源3.5-4ma，在差分線上改變方向來表示0和1。通過外部的100歐匹配電阻(并在差分線上靠近接收端)轉(zhuǎn)換為±350mv的差分電平。lvds使用注意：可以達(dá)到600m以上，pcb要求較高，差分線要求嚴(yán)格等長，差最好不超過10mil(0.25mm)。100歐電阻離接收端距離不能超過500mil，最好控制在300mil以內(nèi)。下面的電平用的可能不是很多，篇幅關(guān)系，只簡單做一下介紹。如果感興趣的話可以聯(lián)系我。cml：是內(nèi)部做好匹配的一種電路，不需再進(jìn)行匹配。三極管結(jié)構(gòu)，也是差分線，速度能達(dá)到3g以上。只能點(diǎn)對點(diǎn)傳輸。gtl：類似cmos的一種結(jié)構(gòu)，輸入為比較器結(jié)構(gòu)，比較器一端接參考電平，另一端接輸入信號。1.2v電源供電。vcc=1.2v；voh>=1.1v；vol<=0.4v；vih>=0.85v；vil<=0.75vpgtl/gtl+：vcc=1.5v；voh>=1.4v；vol
及 diode0.7 石英晶體振蕩器 xtal1 晶體管、fet、ujt to-xxx(to-3,to-5) 可變電阻（pot1、pot2） vr1-vr5 當(dāng)然,我們也可以打開c:\client98\pcb98\library\advpcb.lib庫來查找所用零件的對應(yīng)封 裝。 這些常用的元件封裝,大家最好能把它背下來,這些元件封裝,大家可以把它拆分成兩部分 來記如電阻axial0.3可拆成axial和0.3,axial翻譯成中文就是軸狀的,0.3則是該電阻在印 刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil（因?yàn)樵陔姍C(jī)領(lǐng)域里,是以英制單位為主的。同樣 的,對于無極性的電容,rad0.1-rad0.4也是一樣;對有極性的電容如電解電容,其封裝為r b.2/.4,rb.3/.6等,其中“.2”為焊盤間距,“.4”為電容圓筒的外徑。 對于晶體管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶體管,就用to—3,中功率的晶體管 ,如果是扁平的,就用to-220,如果是金屬殼的,就用to-66,小功率的晶體管,就用to-5 ,to-46,to-92a等都可以,反正它的管腳也長,彎一下也可以。 對于常用的集成ic電路,
s誰知道這25mil是怎么算來的嗎？是根據(jù)導(dǎo)體中電子運(yùn)動(dòng)速度算出來的吧，波長等于速度除以頻率！導(dǎo)線之間的長度差不得大于半波長是吧？那導(dǎo)體中的電子運(yùn)行速度是多少？以前學(xué)的都忘記了哈，剛在網(wǎng)上查了一個(gè)說是0.74mm每秒，好像不對！如果真是要求差值在25mil內(nèi)，那可要花不少時(shí)間，并且受布局影響有的還不可能達(dá)到！我畫的時(shí)候，只是保證了每一組dqs與dq之間差值在300mil內(nèi)，多數(shù)在200mil左右，要求跑的速度也就100m。這樣的布線結(jié)果不知道會(huì)怎樣，心里沒底可又不能完全達(dá)到25mil的要求。
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