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2SK3569 TOSHIBA Field Effect Transistor Sili... TOSHIBA 2SK3569PDF下載
2SK3569 TOSHIBA Field Effect Transistor Sili... TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 2SK3569PDF下載
2SK3569_06 Toshiba Semiconductor [Silicon N Ch... TOSHIBA 2SK3569_06PDF下載

2sk3569價格行情

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歷史最低報價：￥0.3500 歷史最高報價：￥14.0000 歷史平均報價：￥2.6874

型號廠家封裝批號數(shù)量日期價格
2SK3569 TOS TO-3P 2010+ 2343 2011/7/7 10:58:16 0.3500/pcs
2SK3569 TOSHIBA TO220 12+ 20000 2012/4/18 21:55:51 1.0000/pcs
2SK3569 TOSHIBA TO-220 10+ 10000 2010/11/4 16:37:19 1.0000/pcs
2SK3569 東芝 TO-220 10+ 4725 2012/4/19 9:08:38 1.0500/pcs
2SK3569 TOSHIBA TO-220 11+ 20000 2012/4/19 22:21:31 1.2000/pcs
2SK3569 TOSHIBA TO-220 N/A 5500 2010/11/8 15:34:35 1.2000/pcs
2SK3569 東芝 5000 2012/4/29 10:33:13 1.2500/pcs
2SK3569 FUJI TO-220 2000 2011/5/21 10:40:00 1.2500/pcs
2SK3569 東芝 TO-220 N/O 20000只 2012/4/26 15:57:27 1.3000/pcs
2SK3569 東芝 5000 2011/11/8 11:09:22 1.4000/pcs

2sk3569中文資料

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相關(guān)電路圖

標(biāo)準(zhǔn)包裝:
50
類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:
FET - 單
系列:
-
FET 型:
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn):
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss):
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
750 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）:
4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:
42nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds:
1500pF @ 25V
功率 - 最大:
45W
安裝類型:
通孔
封裝/外殼:
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220SIS
包裝:
管件

2SK3567、2SK3568、2SK3569內(nèi)部電路圖
2sk3567、2sk3568、2sk3569內(nèi)部電路如下圖所示：來源:lover

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2sk3569供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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2sk3569價格行情

2sk3569中文資料

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

類別:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特點(diǎn):

漏極至源極電壓(Vdss):

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

閘電荷(Qg) @ Vgs:

輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應(yīng)商設(shè)備封裝:

包裝:

2SK3567、2SK3568、2SK3569內(nèi)部電路圖

2sk3569替代型號

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類別:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特點(diǎn):

漏極至源極電壓(Vdss):

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

閘電荷(Qg) @ Vgs:

輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應(yīng)商設(shè)備封裝:

包裝:

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