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Silicon N-Channel MOS FET
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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管互補(bǔ)推挽電路上，這里也可使用盒式的電路ic。 圖1是功率mosfet的門驅(qū)動用ic為el7212c(圖2)的例子，如果使用這樣的ic，則很容易實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)．輸 出電路是mosfet的推挽形式，可取出大的峰值輸出電流． 圖1 由專用ic組成的功率mosfet驅(qū)動 圖2 由功率mosfet驅(qū)動el7212c的構(gòu)成 圖3是使用el7212c的電路的開關(guān)波形?？梢哉f其具有優(yōu)越的特性，擴(kuò)大到250ns/div，的圖形如圖4所示。ch1是脈沖振蕩器的輸出波形，ch2是2sk1522的漏極波形。導(dǎo)通延遲時(shí)間極小，關(guān)閉延遲時(shí)間變?yōu)槁孕∮?50ns。 圖3 使用el7212c驅(qū)動電路的開關(guān)特性 圖4 實(shí)驗(yàn)用脈沖發(fā)生器的輸出波形和功率mosfet的漏極波形 來源:ks99
前面實(shí)驗(yàn)的功率mosfet是漏極損耗15ow的器件。下面，針對大容量的功率mosfet進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。 這里，使用2sk1522(pd＝250w、vds＝50ov、ids＝50a、ciss＝87oopf、crs＝235pf、ron＝0. 11ωmax；日立制造)，門極輸入電容是2sk1379的幾倍。 實(shí)驗(yàn)電路中為觀測門極電流ig及漏極電流id的波形，夾緊探頭(圖1、照片2)。負(fù)載電阻因繞線系統(tǒng)中的電阻器可能會產(chǎn)生阻抗振蕩，所以并聯(lián)連接8個(gè)3w、200ω的氧化金屬薄膜電阻，當(dāng)用于開關(guān)的輸人占空比極小不能測定時(shí)就會發(fā)熱． 圖1 250w功率mosfet的開關(guān)特性測定電路 圖2 功率mosfet的特性測定電路 觀察驅(qū)動電路的特性之前，使用脈沖發(fā)生器，研究對門極電阻rg的開關(guān)的依賴性。 圖1是測試電路中，rg＝100ω(脈沖發(fā)生器的終端電阻為50ω)時(shí)的門極一源極間電壓vgs、漏極－源極間電壓vds的開關(guān)波形。這里為進(jìn)行直觀的比較，實(shí)驗(yàn)電路的測定條件固定(脈沖幅度1oμs、時(shí)間軸2.5μs/div)。 從波形圖可知，vgs波形上升很快，高速時(shí)fet為on。vd
2sk2645 600 9 50 2sk798 100 40 150 irf630 200 9 75 * * nmos 2sk799 450 12 120 irf730 400 5.5 75 * * nmos 2sk850 100 40 125 mtp5p25 250 5 75 pmos 2sk1522 500 50 250 n 2sk1629 500 30 200 n 表六：音響功放配對三極管 型號 反壓v 電流a 功率w 放大倍數(shù) 頻率m 類型 型號 反壓v 電流a 功率w 放大倍數(shù) 頻率m 類型 2sa1215 160 15 150 pnp 2sc2921 160 15 150 npn
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