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Silicon NPN epitaxial planar type
PANASONIC
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isc Silicon NPN Power Transistor
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CE...
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2.集電極最大允許直流電流（icm） 一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換（代換）。 實(shí)際不同廠家關(guān)于icm的規(guī)定有所不同，有時(shí)差別很大，我們要注意到廠家給出的測(cè)試條件。常見(jiàn)的有以下幾種： ⑴根據(jù)集電極引線允許通過(guò)的最大電流值確定icm。這個(gè)數(shù)值可能很大，例如，一只pcn=200mw的晶體管，其icm可能會(huì)超過(guò)1a。 ⑵根據(jù)pcm確定icm，即pcm=icm×uce確定icm。這個(gè)規(guī)定下的pcm值比普通晶體管較小，比開(kāi)關(guān)管較大，例如pcm都是10w的普通晶體管2sc2209和開(kāi)關(guān)管2sc2214，其icm值卻分別為1.5a和4a。 ⑶根據(jù)晶體管參數(shù)（飽和壓降、電流放大系數(shù)等）允許變化的極限值確定icm。例如3dd103a晶體管的icm是按其β值下降到實(shí)測(cè)值的1/3時(shí)確定的（icm=3a）。 3.擊穿電壓 用于置換（代換）的晶體管，必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè)： ⑴bvcbo：集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開(kāi)路，集電極電流ic為規(guī)定值時(shí)，集電極-基極間的電壓降（該電壓降稱為對(duì)應(yīng)的擊穿電壓，以下的相
2.集電極最大允許直流電流（icm） 一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換（代換）。 實(shí)際不同廠家關(guān)于icm的規(guī)定有所不同，有時(shí)差別很大，我們要注意到廠家給出的測(cè)試條件。常見(jiàn)的有以下幾種： ⑴根據(jù)集電極引線允許通過(guò)的最大電流值確定icm。這個(gè)數(shù)值可能很大，例如，一只pcn=200mw的晶體管，其icm可能會(huì)超過(guò)1a。 ⑵根據(jù)pcm確定icm，即pcm=icm×uce確定icm。這個(gè)規(guī)定下的pcm值比普通晶體管較小，比開(kāi)關(guān)管較大，例如pcm都是10w的普通晶體管2sc2209和開(kāi)關(guān)管2sc2214，其icm值卻分別為1.5a和4a。 ⑶根據(jù)晶體管參數(shù)（飽和壓降、電流放大系數(shù)等）允許變化的極限值確定icm。例如3dd103a晶體管的icm是按其β值下降到實(shí)測(cè)值的1/3時(shí)確定的（icm=3a）。 3.擊穿電壓 用于置換（代換）的晶體管，必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè)： ⑴bvcbo：集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開(kāi)路，集電極電流ic為規(guī)定值時(shí)，集電極-基極間的電壓降（該電壓降稱為對(duì)應(yīng)的擊穿電壓，以下
1.5A/50V
pcm較小的晶體管置換（代換）。2.集電極最大允許直流電流（icm）一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換（代換）。實(shí)際不同廠家關(guān)于icm的規(guī)定有所不同，有時(shí)差別很大，我們要注意到廠家給出的測(cè)試條件。常見(jiàn)的有以下幾種：⑴根據(jù)集電極引線允許通過(guò)的最大電流值確定icm。這個(gè)數(shù)值可能很大，例如，一只pcn=200mw的晶體管，其icm可能會(huì)超過(guò)1a。⑵根據(jù)pcm確定icm，即pcm=icm×uce確定icm。這個(gè)規(guī)定下的pcm值比普通晶體管較小，比開(kāi)關(guān)管較大，例如pcm都是10w的普通晶體管2sc2209和開(kāi)關(guān)管2sc2214，其icm值卻分別為1.5a和4a。⑶根據(jù)晶體管參數(shù)（飽和壓降、電流放大系數(shù)等）允許變化的極限值確定icm。例如3dd103a晶體管的icm是按其β值下降到實(shí)測(cè)值的1/3時(shí)確定的（icm=3a）。3.擊穿電壓用于置換（代換）的晶體管，必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè)：⑴bvcbo：集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開(kāi)路，集電極電流ic為規(guī)定值時(shí)，集電極-基極間的電壓降（該電壓降稱為對(duì)應(yīng)的擊穿電壓，以下的相同）。⑵bvceo：集電極-
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