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原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
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Silicon PNP Epitaxial
HITACHI
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Silicon PNP Epitaxial
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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fe≥1000,uceo=120v,ic=6a。vt1的基極電流ib1=il/hfe=1a/l 000=lma。電路中r1是抑制vt1增益的電阻,因?yàn)樵鲆孢^大會(huì)發(fā)生振蕩。r2過大其電壓降增大,電壓控制范圍變窄。電路中r2選用1kω電阻,最大電壓降為iv。 如圖 晶體管跟蹤穩(wěn)壓電源 控制用a2的基準(zhǔn)電壓是同相輸入,則以地作為基準(zhǔn),因此,反相輸入端電壓常為0。電壓檢測(cè)電路由r6和r7構(gòu)成,由于正輸出電壓與負(fù)輸出電壓相同,即為|—u。|=+et。那樣控制。電壓控制晶體管vt2為達(dá)林頓管2sb727k,它與2sd768k為達(dá)林頓對(duì)管。注意到a1和a2,的電源電壓不同,由于lm358是片內(nèi)有2個(gè)運(yùn)放,因此,a1和a2不能選用片內(nèi)的兩個(gè)運(yùn)放,其中a1要求輸入電壓為0v,輸出電壓為0~—20v,a,的正電源電壓為5.iv,負(fù)電源電壓為一24v。 基準(zhǔn)電壓有兩個(gè)作用,即作為正輸出的基準(zhǔn)電壓,并為a2,提供電流。a2,的電流根據(jù)參數(shù)表中提供的數(shù)據(jù)最大為1.2 ma,流經(jīng)rpt的電流為1 ma。若vd,空載電流為5 ma,則流經(jīng)r1的電流為7.2 ma。ay=(ut+一uz1)/it,,=(24v