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2N5631 Silicon NPN Power Transistors ISC [Inchange Semiconductor Company Limited] 2N5631PDF下載
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2N5631 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILI... ONSEMI [ON Semiconductor] 2N5631PDF下載
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2n5631價格行情

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2n5631中文資料

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相關電路圖

制造商:
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:
Transistors Bipolar (BJT)
晶體管極性:
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:
140 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:
7 V
最大直流電集電極電流:
16 A
直流集電極/Base Gain hfe Min:
15
配置:
Single
最大工作頻率:
1 MHz
最大工作溫度:
+ 150 C
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-204-2 (TO-3)
封裝:
Tray
集電極連續(xù)電流:
16 A
最小工作溫度:
- 65 C
功率耗散:
200 W
工廠包裝數(shù)量:
100

電子滅蚊蠅窗紗
值為400v的cbb電容器或滌綸電容器;c8選用耐壓值為25v的鋁電解電容器;c13-c16均選用耐壓值為630v的高頻瓷介電容器。 vdl和vd2均選用1n4148型硅開關一極管。 vl選用φ5mm的普通發(fā)光一極管。 v選用2sc2261或2n5631、3da8f型硅npn晶體管。 icl選用twh951l或twh9512型熱釋電紅外傳感器控制專用集成電路;ic2選用lm7812型三端集成穩(wěn)壓器;ic3選用ne556或a556型雙時基集成電路。熱釋電紅外傳感器選用sd02或p228型，配合用ce-024或qla型菲涅爾透鏡。 k選用9v直流繼電器。 tl選用3-5w、二次電壓為l5v的電源變壓器;t2使用電警具用脈沖變壓器或用elo型磁心繞制。次繞組用φ0.49mm的漆包線繞30匝，

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晶體管極性:

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:

最大直流電集電極電流:

直流集電極/Base Gain hfe Min:

配置:

最大工作頻率:

最大工作溫度:

安裝風格:

封裝 / 箱體:

封裝:

集電極連續(xù)電流:

最小工作溫度:

功率耗散:

工廠包裝數(shù)量:

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2n5631替代型號

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晶體管極性:

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:

最大直流電集電極電流:

直流集電極/Base Gain hfe Min:

配置:

最大工作頻率:

最大工作溫度:

安裝風格:

封裝 / 箱體:

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功率耗散:

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