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當(dāng)前位置：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>2n5179 更新時(shí)間:2025-08-31 07:07:06

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2n5179中文資料

  • ESD引起集成電路損壞原理模式及實(shí)例

    +擴(kuò)區(qū)，對(duì)于輸入端鋁條跨過n+擴(kuò)區(qū)的雙極電路，使用時(shí)應(yīng)采取必要的防靜電措施。 e.測(cè)試和傳遞中出現(xiàn)肖特基ttl電路(54s181、54s420)電性能異常，輸入漏電增大。經(jīng)解剖分析，在金相顯微鏡下觀察芯片表面未發(fā)現(xiàn)任何電損傷痕跡，但在去除鋁和sio2后，在輸入端的發(fā)射極接觸孔內(nèi)卻發(fā)現(xiàn)了較輕的小坑，再用cp4溶液進(jìn)行腐蝕后小坑變得更加明顯。用“靜電模擬器”進(jìn)行模擬試驗(yàn)，出現(xiàn)的失效現(xiàn)象與它十分類似?？梢娺@種失效是由esd損傷引起，也可能是其它的輕度電損傷引起。 f.某儀表系統(tǒng)輸入端使用的2n5179超高頻晶體管多次發(fā)生失效，失效模式為放大系數(shù)降低，特別是在小電流下(例如ic＝100μa)的放大系數(shù)下降到大約為1左右，同時(shí)eb結(jié)出現(xiàn)較大反向漏電。解剖后，在金相顯微鏡下觀察芯片表面，在eb極之間的鋁條上有一個(gè)很小的變色區(qū)，它是由瞬間的電過應(yīng)力(電浪涌)引起的過合金區(qū)，這種失效一般由靜電放電引起，對(duì)于輸入端為超高頻小功率管基極的電子系統(tǒng)，輸入端應(yīng)設(shè)計(jì)輸入保護(hù)網(wǎng)絡(luò)，如果系統(tǒng)特性不允許增加保護(hù)網(wǎng)絡(luò)，則必須采取防靜電放電操作措施。 g.帶有mos電容器作為內(nèi)補(bǔ)償?shù)倪\(yùn)算放大器，在使用中常有失效，失

  • 2N5179

    材料性質(zhì):Si-NPN,甚高頻(VHF),超高頻/特高頻(UHF),低噪放大(ra),直插封裝,20V,0.05A,900MHZ,0.2W,25<β<250

  • 2N5179

    0.05A/20V

  • ESD引起集成電路損壞原理模式及實(shí)例

    +擴(kuò)區(qū)，對(duì)于輸入端鋁條跨過n+擴(kuò)區(qū)的雙極電路，使用時(shí)應(yīng)采取必要的防靜電措施。 e.測(cè)試和傳遞中出現(xiàn)肖特基ttl電路(54s181、54s420)電性能異常 ，輸入漏電增大 。經(jīng)解剖分析，在金相顯微鏡下觀察芯片表面未發(fā)現(xiàn)任何電損傷痕跡，但在去除鋁和sio2后，在輸入端的發(fā)射極接觸孔內(nèi)卻發(fā)現(xiàn)了較輕的小坑，再用cp4溶液進(jìn)行腐蝕后小坑變得更加明顯。用“靜電模擬器”進(jìn)行模擬試驗(yàn)，出現(xiàn)的失效現(xiàn)象與它十分類似?？梢娺@種失效是由esd損傷引起，也可能是其它的輕度電損傷引起。 f.某儀表系統(tǒng)輸入端使用的2n5179超高頻晶體管多次發(fā)生失效 ，失效模式為放大系數(shù)降低 ，特別是在小電流下(例如ic＝100μa)的放大系數(shù)下降到大約為1左右，同時(shí)eb結(jié)出現(xiàn)較大反向漏電。解剖后，在金相顯微鏡下觀察芯片表面，在eb極之間的鋁條上有一個(gè)很小的變色區(qū)，它是由瞬間的電過應(yīng)力(電浪涌)引起的過合金區(qū)，這種失效一般由靜電放電引起，對(duì)于輸入端為超高頻小功率管基極的電子系統(tǒng)，輸入端應(yīng)設(shè)計(jì)輸入保護(hù)網(wǎng)絡(luò)，如果系統(tǒng)特性不允許增加保護(hù)網(wǎng)絡(luò)，則必須采取防靜電放電操作措施。 g.帶有mos電容器作為內(nèi)補(bǔ)償?shù)倪\(yùn)算放大器，在使用中常有失效，

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