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1960MHZ
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
1960MHZ
16500
QFN/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢(shì)商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
1960MHZ
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
1960MHZ
21800
QFN/2112
原裝現(xiàn)貨 爭(zhēng)做全市最優(yōu)價(jià)
1960MHZ
10000
QFN/22+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
1960MHZ
80000
-/2024+
原裝現(xiàn)貨
1960MHZ
9200
SMD/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
1960MHZ
92700
SMD/23+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單服務(wù)
1960MHZ,1880MHZ
1335
SMD/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
摘 要：為了加快功率放大器的設(shè)計(jì)并降低網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)成本提高網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量，文中在詳細(xì)分析基站功率放大器技術(shù)要求的基礎(chǔ)上，主要論述了基站功率放大器的設(shè)計(jì)參數(shù)和仿真過(guò)程，提出了一種利用ads 軟件進(jìn)行功放仿真和設(shè)計(jì)的方法。利用該方法對(duì)中心頻率為1960mhz 基站功放的功率增益、功率附加效率、三階互調(diào)等參數(shù)進(jìn)行了仿真和設(shè)計(jì)，同時(shí)和測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了比較。結(jié)果表明利用該方法設(shè)計(jì)基站功放是可行的。 1 引言 隨著功放技術(shù)、基帶處理技術(shù)與射頻拉遠(yuǎn)等技術(shù)的重大突破，基站性能大幅度提高，現(xiàn)已經(jīng)進(jìn)入了新一代3g 基站時(shí)代。移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)在實(shí)際使用過(guò)程中，由于地形環(huán)境的影響很多基站并未達(dá)到預(yù)期的效果。為了改善網(wǎng)絡(luò)覆蓋，通常有三種方法：①添加基站，覆蓋盲區(qū)；②增設(shè)直放站，延伸并擴(kuò)大原基站信號(hào)，以增強(qiáng)信號(hào)覆蓋；③在原有的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備基礎(chǔ)上，通過(guò)提高基站的發(fā)射功率擴(kuò)大覆蓋范圍。基站功放就是一種通過(guò)提升基站發(fā)射功率來(lái)優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)覆蓋的解決方案。加裝基站功放后，基站輸出功率、有效覆蓋面積增加，因此覆蓋一定區(qū)域的基站數(shù)量可以減少。 文中就是在這種背景要求下，以飛思卡爾半導(dǎo)體的ldmos 晶體管- mrf6s19060n 為例，在ads
x2346 及 lmh2347 是兩款高性能的頻率合成器，具備美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體pllatinum 產(chǎn)品系列的所有功能特色。lmx2346 及 lmx2347 采用美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的先進(jìn)雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體 (bicmos) 工藝技術(shù)制造。由于這兩款鎖相環(huán)路芯片采用專有的數(shù)字鎖相環(huán)路技術(shù)，因此可以為超高頻 (uhf) 及甚高頻 (vhf) 的壓控振蕩器提供極穩(wěn)定而噪音較少的控制信號(hào)。 這兩款鎖相環(huán)路芯片的相位噪音極低，例如以 900mhz 運(yùn)行時(shí)，相位噪音低至只有 -91dbc/hz，但若以 1960mhz 運(yùn)行，相位噪音則只有-85dbc/hz。這個(gè)優(yōu)點(diǎn)有助加強(qiáng)射頻系統(tǒng)的靈敏度。此外，這兩款芯片還為系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師提供多個(gè)可降低相位噪音的功能，其中包括高達(dá) 6 伏 (v) 的電荷泵供電電壓 (以便系統(tǒng)可以使用低增益電壓控制振蕩器)、可將緩沖噪音電流減至最低的振蕩器輸入緩沖模式 (功能選項(xiàng)之一)、以及可以支持高達(dá) 104mhz 的較高參考頻率。 lmx2346 及 lmx2347 的操作頻率分別高達(dá) 2.0ghz 及 2.5ghz。此外，兩款芯片同樣可在 2.7 伏至 5.5 伏的電壓范圍內(nèi)操
很難構(gòu)成高性能的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。 因此，要通過(guò)cmos工藝來(lái)降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。njg1135md7就是能滿足這種要求的設(shè)有旁通電路低噪聲放大器。用于800mhz/1900mhz頻段的 cdma模式手機(jī)終端。 njg1135md7是由低噪聲放大電路旁通電路控制用邏輯電路來(lái)構(gòu)成的。使用高性能hj fet工藝，實(shí)現(xiàn)了高線形性(iip3 +10dbm typ.@ f=880mhz / iip3 +8dbm typ.@ f=1960mhz)。 另外，為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強(qiáng)磁場(chǎng)輸入時(shí)所造成的放大器視失真，設(shè)置了不經(jīng)過(guò)放大電路的旁通模式(low gain模式)，并且讓內(nèi)置的低噪聲放大電路處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低耗電流化。 njg1135md7采用超小超薄eqfn14-d7(1.6x1.6x0.397mm typ.) 封裝，節(jié)省了裝載電路板的空間的同時(shí)，又符合了無(wú)鉛無(wú)鹵化物標(biāo)準(zhǔn)，為減輕環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。 具有高線形特性低消耗電流節(jié)省空間特點(diǎn)的njg1135md7，實(shí)現(xiàn)了800mhz/1900mhz頻段cd
很難構(gòu)成高性能的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。 因此，要通過(guò)cmos工藝來(lái)降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。njg1135md7就是能滿足這種要求的設(shè)有旁通電路低噪聲放大器。用于800mhz/1900mhz頻段的 cdma模式手機(jī)終端。 njg1135md7是由低噪聲放大電路、旁通電路、控制用邏輯電路來(lái)構(gòu)成的。使用高性能hj fet工藝，實(shí)現(xiàn)了高線形性(iip3+10dbm typ.@ f=880mhz/iip3+8dbm typ.@ f=1960mhz)。 另外，為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強(qiáng)磁場(chǎng)輸入時(shí)所造成的放大器視失真，設(shè)置了不經(jīng)過(guò)放大電路的旁通模式(low gain模式)，并且讓內(nèi)置的低噪聲放大電路處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低耗電流化。 njg1135md7采用超小超薄eqfn14-d7(1.6×1.6×0.397mm typ.) 封裝，節(jié)省了裝載電路板的空間的同時(shí)，又符合了無(wú)鉛無(wú)鹵化物標(biāo)準(zhǔn)，為減輕環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。 具有高線形特性、低消耗電流、節(jié)省空間特點(diǎn)的njg1135md7，實(shí)現(xiàn)了800mhz/1900mhz頻段
，isscc決定在北京、臺(tái)北、東京和首爾四地推出分會(huì)場(chǎng)。王志華透露，位于北京清華大學(xué)的分會(huì)將于明年3月7日與清華大學(xué)第六教學(xué)樓舉行。將用dvd重現(xiàn)isscc精選論文演講錄像。并精選isscc2009六個(gè)主題的近40篇論文。需要參會(huì)者可與清華大學(xué)微電子研究所聯(lián)系(010-62795095，姜漢鈞)。注冊(cè)費(fèi)用25美元，學(xué)生特惠價(jià)10美元。 中國(guó)大陸入選論文介紹 此次中國(guó)大陸入選的兩篇論文皆被安排在2月11日電pll和時(shí)鐘會(huì)場(chǎng)。復(fù)旦大學(xué)與ratio微電子合作的入選論文題為《a975-to-1960mhzfractional-nsynthesizerwithadaptivebandwidthcontroland4/4.5prescalerfordigitaltvtuners》。四位作者聲稱他們實(shí)現(xiàn)了一個(gè)采用0.18umcmos工藝的975～1960mhz小數(shù)合成器，能夠?qū)捵兓刂圃?0.3%以內(nèi)。其中用到了afc技術(shù)。鎖定時(shí)間為20us，其中afc用去6.4us。 清華大學(xué)的入選論文與三星電子合作。題為《a0.4-to-1.66ghzlow-osr△∑dllwithself-refer
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