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一種便攜式磁記憶檢測儀的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)
坐標(biāo)(x-y)中左右方向(x軸)的電壓變化。便攜式磁記憶檢測儀測量的hp磁場范圍為±5gs。hmc1052的靈敏度是1.0mv/v/gs。當(dāng)傳感器的電源電壓為3v時(shí)，任何電橋上最大的輸出電壓是：±5(gs)×1.0(mv/v/gs)×3(v)=±15mv。本電路采用mcp6042低電壓、低功耗雙運(yùn)算放大期。要使電壓對應(yīng)單片機(jī)a/d轉(zhuǎn)換器模擬輸入端0到3v的電壓范圍，需要放大200倍。電阻r2、r3、r7和r9用于設(shè)置放大倍數(shù)。輸入電阻應(yīng)是橋路電阻的4-10倍。選擇1khz帶寬，則電容c1為150p，防止emi/rfi干擾。經(jīng)放大的模擬電壓送單片機(jī)的a/d轉(zhuǎn)換器，其中y-out表示磁場的測量方向y分量，x-out表示磁場的x分量。便攜式磁記憶檢測儀在電源電壓和功耗上要求苛刻，為了降低功耗，采用以下措施： ·所有集成電路都選擇低工作電壓和低功耗芯片。 ·盡量減少使用外圍元器件，pic16lf873a外圍功能強(qiáng)大，比其他系列單片機(jī)使用的元件少。 ·低工作電壓、低振蕩時(shí)鐘(采用4mhz)。 ·采用低功耗lcd顯示器，電源由單片機(jī)提供，需要顯示時(shí)才供電。 ·信號(hào)通道單獨(dú)供

關(guān)于SLEEP的使用，請大蝦賜教！（在線等待，謝謝先）
我剛才查了數(shù)據(jù)手冊對，是在晶振兩端各有一個(gè)。手冊提供的參考是c1（68p~150p）c2（150p~200p），我換成c1（133p）c2（175p）后，，情況沒有明顯的變化。我馬上試試減小的效果。另外，請問xieyuanbin，負(fù)載電容大一點(diǎn)不好起振嗎？我記得51的有些書寫的在起振不正常的時(shí)候應(yīng)該略為加大負(fù)載電容，到底是怎么回事？rc振蕩的頻率是怎么計(jì)算的呢？溫度特性如何？穩(wěn)定度有多高？
請教－－反向器構(gòu)成的振蕩電路
誰告訴你的要用那么大的電容？？？３２.７６８ｋ的晶體用兩個(gè)27p－33p的就可以了。誰告訴你的要用那么大的電容（100p、120p、150p）???
ALTERA CPLD下載編程問題
re:可能存在干擾!你在jtag口的tck腳加一150p的電容看看.

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