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平面變壓器的結構原理與應用
出電壓/v min (250khz) type max 1 5 15 最大輸出電流/a 40 80 120 160 200 磁芯截面積/cm2 0.68 1.36 2.04 2.72 3.4 磁路長度/cm3 2.8 磁芯體積/cm3 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 鐵損（250khz， bm=80mt，vout=5v) 400mw 800mw 1.2w 1.6w 2.0w 泄漏電感（per turn sq.) 4nh 8nh 12nh 16nh 20nh 2 平面變壓器的使用平面變壓器的使用主要有以下三個原則：（１）根據(jù)輸出電壓的大小來選用相應型號的平面變壓器；（２）根據(jù)輸出電流的大小來確定并聯(lián)的平面變壓器個數(shù)；（３）根據(jù)輸入輸出電壓的大小來確定變比及原邊繞組的匝數(shù)。例如，開關電源輸出電壓５ｖ，輸出電流１５０ａ。選用５ｖ系列的平面變壓器ｆｔｉ－１２×２ａ－ｘｘ。如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－１ａ，就需要５個并聯(lián)；如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－５ａ（實際就是由５個ｆｔｉ－１２×２ａ－１ａ并聯(lián)
詳解如何為D類放大器選取合適的參數(shù)
等在確定電路的pcb板、散熱器尺寸、裝配工藝以及mosfet的電氣參數(shù)時都極為重要。類似地，封裝熱阻rθjc也會影響mosfet的性能。簡單地說，由于較低的rθjc將會減小mosfet工作過程中的結溫，從而將提供mosfet的可靠性和性能。由于電路的雜散電感和電容將影響放大器的emi性能，內(nèi)部封裝電感將會對emi噪聲的產(chǎn)生起很大貢獻。圖5中對利用相同的mosfet芯片但內(nèi)部電感不同的兩種封裝的emi噪聲進行了比較。例如，將directfet mosfet（<1nh）與to-220（~12nh）進行比較，發(fā)現(xiàn)前者具有更好的emi性能。其噪聲大約比to-220低9db,盡管其上升和下降時間比to-220大約快3倍。于是，對于d類放大器的可靠性，效率，噪聲性能及成本的改善來講，封裝的選擇是非常重要的。最后，最高結溫tj（max）也是非常關鍵的，因為它決定了散熱器的大小。具有較高結溫的mosfet可以承受較高的功耗，因此，需要較小的散熱器。從而減小了放大器的尺寸和成本。數(shù)字音頻mosfet 綜合考慮了上述各種參數(shù)，ir公司特別開發(fā)出了用于d類音頻應用放大器的功率mos
混頻器模塊的選擇
），射頻輸出通道無匹配要求，所有端口都是單端形式。mrfic2002引腳封裝形式如圖3所示，各引腳功能見表1。mrfic2002的典型應用電路如圖4所示。圖3 mrfic2002的引腳封裝形式及內(nèi)部結構表1mrfic2002的引腳功能 mrfic2002的設計應用應該注意以下情況。（1）本地振蕩器和中頻通道需要外部匹配。把本地振蕩器通道匹配到50ω可以有幾種方法。這里推薦一種方法，即把串連在輸入端的電感器盡可能地靠近集成電路。這個電感器的電感值非常?。s8～12nh，取決于本機振蕩器的振蕩頻率），它被設計印制在電路板上。本地振蕩器輸入端隔離直流是必要的，但不應該把隔直元件放在電感和集成電路之間，否則會妨礙電感器靠近集成電路，不能提供良好的匹配。（2）中頻輸入阻抗匹配在中頻輸入通道串連電感器前邊的旁路電容可以提供大約50ω的阻抗變換，如圖4中的并聯(lián)電容c2。中頻通道輸入隔離直流也是必要的，隔直元件可以安排在匹配網(wǎng)絡的任何一側。圖4 mrfic2002的應用電路（3）射頻輸入阻抗匹配射頻通道與小的感抗串聯(lián)，約有50ω

平面變壓器的結構原理與應用
max 1515 最大輸出電流/a 40 80 120 160 200 磁芯截面積/cm2 0.68 1.36 2.04 2.72 3.4 磁路長度/cm3 2.8 磁芯體積/cm3 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 鐵損（250khz，bm=80mt，vout=5v) 400mw 800mw 1.2w 1.6w 2.0w 泄漏電感（per turn sq.) 4nh 8nh 12nh 16nh 20nh 2 平面變壓器的使用平面變壓器的使用主要有以下三個原則：（１）根據(jù)輸出電壓的大小來選用相應型號的平面變壓器；（２）根據(jù)輸出電流的大小來確定并聯(lián)的平面變壓器個數(shù)；（３）根據(jù)輸入輸出電壓的大小來確定變比及原邊繞組的匝數(shù)。例如，開關電源輸出電壓５ｖ，輸出電流１５０ａ。選用５ｖ系列的平面變壓器ｆｔｉ－１２×２ａ－ｘｘ。如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－１ａ，就需要５個并聯(lián)；如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－５ａ（實際就是由５個ｆｔｉ