閃速可擦除可編程只讀存儲器

閃速（flash）eeprom作為一種分立元件已經(jīng)使用很多年了，它們在結(jié)構(gòu)和運用等方面都與eeprom類似。閃速eeprom和eeprom之間的基本差異就在于其寫入處理方面，閃速eeprom是基于熱電子注人而不是隧道效應(yīng)。“熱”電子就是快速電子，它們由源極和漏極之間的高電位差來產(chǎn)生，其中一些“熱”電子因受正的電荷控制柵的影響穿透隧道氧化層并存儲在浮動?xùn)派?。由于這種效應(yīng)使其寫人時間減少到大約1011s，與普通eeprom所必須的3～10ms相比是一個很大進(jìn)步。另外，其編程電壓僅是12v，而eeprom是17v。第1個帶有閃速eeprom和eeprom兩種存儲器的智能卡微控制器已經(jīng)問世［atmel］，參看圖1所示。這些芯片在制造過程中就把引導(dǎo)裝人程序?qū)懭肓薳eprom，然后，智能卡制造商可用來下載程序代碼和數(shù)據(jù)。目前，閃速eeprom單元的數(shù)據(jù)存儲時間至少有10年保存期，至少有100 000次的寫人/擦除循環(huán)，以及具有“字節(jié)的典型的頁面大小。 圖1 帶有閃速eeprom的at89sc168智能卡微控制器的照片。上排的功能單元 （從左到右）是邏輯模塊、ram和cpu；下排（從左到右）包