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將被測量電容 (cx) 充電到固定電壓，然后被測電容通過回路放電，電流表測量出流過 47 ω電阻的電流。 因為 555 定時器每秒鐘重復這個過程幾次，使得電流表的指針保持穩(wěn)定。 電流會因電容容量的大小而不同，即電流表指針會根據(jù)被測電容的容量作相應的偏轉，也就是說，電容容量與線路電流的比例是線性的，就像用于測量電壓和電流的萬用表。 此表有五個擋位，從 100pf 到 1μf ，通過一只兩極五擋開關切換，另外，開關× 10 用于測量較大容量的電容，電流分成兩路，測量100pf 、 1000pf 、 0.01μf 、 0.1μf 或 1μf 以上電容顯示更準確。 元器件的精確度不是十分完善的。即使是最好的器件。一般九只電阻也考慮有 2 ％的誤差。如果沒有 oa47 二極管。可用 oa91 或 oa95 鍺二極管代替。將此電路裝入一只塑料盒中，與萬用表差不多大，但是稍深一點更好。在財力許可下，測試儀的測量儀表要盡可能大，因為它決定了測量顯示的精確度。你購買的電流表量程為 o ～ 50 微安，但是刻度要從 0 到 100 偏轉 ( 即原有的刻度 10 、 20 、 30 、 40 、
n 溝道功率 mosfet。這個驅動器與功率 mosfet 和一個凌力爾特公司的dc/dc控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 dc 開關。 這個強大的驅動器以 1.2ω 下拉阻抗驅動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流，而以 0.55ω 下拉阻抗驅動同步 mosfet 時可提供 3a 的電流，從而非常適用于驅動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián) mosfet。當驅動一個 1000pf 負載時，高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。 ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114v 時還可以工作。另外，該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內同時驅動高端和低端 mosfet 柵極。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封
壓(100v)同步mosfet驅動器ltc4444，該器件用于在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端功率的n溝道m(xù)osfet。這個驅動器可與功率mosfet以及凌力爾特公司的很多dc/dc控制器一起組成完整的高效率同步轉換器。 這個強大的驅動器可采用1.2ω的下拉阻抗和提供高達2.5a的電流以驅動高端mosfet，而采用0.55ω下拉阻抗可提供3a電流以驅動低端mosfet，非常適用于驅動高柵極電容、大電流mosfet。ltc4444還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián)mosfet。當驅動1000pf負載時，高端mosfet的8ns快速上升時間、5ns下降時間和低端mosfet的6ns上升時間、3ns下降時間最大限度地減小了開關損耗。該器件集成了自適應貫通保護，以最大限度地縮短死區(qū)時間，同時防止高端和低端的mosfet同時導通。 ltc4444為兩個不受電源影響的輸入而配置。高端輸入邏輯信號的電平從內部被移位到自舉電源，這可能在比地高114v時正常工作。另外，這個器件在7.2v至13.5v的范圍內驅動高端和低端的mosfet柵極。ltc4444ems8和ltc4444ims8都采用
的高端和低端 n 溝道功率 mosfet。這個驅動器與功率mosfet和一個凌力爾特公司的dc/dc控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 dc 開關。 這個強大的驅動器以1.2ω下拉阻抗驅動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流，而以 0.55ω 下拉阻抗驅動同步 mosfet時可提供 3a 的電流，從而非常適用于驅動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián) mosfet。當驅動一個 1000pf 負載時，高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。 ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114v 時還可以工作。另外，該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內同時驅動高端和低端 mosfet 柵極。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，以 10
4，該器件用于在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端功率的 n 溝道 mosfet。這個驅動器可與功率 mosfet 以及凌力爾特公司的很多 dc/dc 控制器一起組成完整的高效率同步轉換器。 這個強大的驅動器可采用 1.2ω 的下拉阻抗和提供高達 2.5a 的電流以驅動高端 mosfet，而采用 0.55ω 下拉阻抗可提供 3a 電流以驅動低端 mosfet，非常適用于驅動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4444 還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián) mosfet。當驅動 1000pf 負載時，高端 mosfet 的 8ns 快速上升時間、5ns 下降時間和低端 mosfet 的 6ns 上升時間、3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。該器件集成了自適應貫通保護，以最大限度地縮短死區(qū)時間，同時防止高端和低端的 mosfet 同時導通。 ltc4444 為兩個不受電源影響的輸入而配置。高端輸入邏輯信號的電平從內部被移位到自舉電源，這可能在比地高 114v 時正常工作。另外，這個器件在 7.2v 至 13.5v 的范圍內驅動高端和低端的 mosfet 柵極。
n 溝道功率 mosfet。這個驅動器與功率 mosfet 和一個凌力爾特公司的 dc/dc 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 dc 開關。 這個強大的驅動器以 1.2ω 下拉阻抗驅動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流，而以 0.55ω 下拉阻抗驅動同步 mosfet 時可提供 3a 的電流，從而非常適用于驅動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián) mosfet。當驅動一個 1000pf 負載時，高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。 ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114v 時還可以工作。另外，該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內同時驅動高端和低端 mosfet 柵極。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，以
中的高端和低端 n 溝道功率 mosfet。這個驅動器與功率mosfet和一個凌力爾特公司的dc/dc控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 dc 開關。 這個強大的驅動器以1.2ω下拉阻抗驅動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流，而以 0.55ω 下拉阻抗驅動同步 mosfet時可提供 3a 的電流，從而非常適用于驅動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián) mosfet。當驅動一個 1000pf 負載時，高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。 ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114v 時還可以工作。另外，該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內同時驅動高端和低端 mosfet 柵極。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，以
低端 n 溝道功率 mosfet。這個驅動器與功率 mosfet 和一個凌力爾特公司的dc/dc控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 dc 開關。 這個強大的驅動器以 1.2ω 下拉阻抗驅動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流，而以 0.55ω 下拉阻抗驅動同步 mosfet 時可提供 3a 的電流，從而非常適用于驅動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián) mosfet。當驅動一個 1000pf 負載時，高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。 ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114v 時還可以工作。另外，該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內同時驅動高端和低端 mosfet 柵極。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，以
n 溝道功率 mosfet。這個驅動器與功率 mosfet 和一個凌力爾特公司的 dc/dc 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 dc 開關。 這個強大的驅動器以 1.2ω 下拉阻抗驅動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流，而以 0.55ω 下拉阻抗驅動同步 mosfet 時可提供 3a 的電流，從而非常適用于驅動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應用驅動多個并聯(lián) mosfet。當驅動一個 1000pf 負載時，高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。 ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114v 時還可以工作。另外，該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內同時驅動高端和低端 mosfet 柵極。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，以
°c 的節(jié)溫范圍內工作，而 i 級版本的工作溫度范圍為 -40°c 至 125°c。 該器件集成了自適應貫通保護功能，以最大限度地縮短死區(qū)時間，同時防止高端和低端 mosfet 同時導通。這些強大的驅動器在 1.5ω 下拉阻抗時能提供高達 1.4a 以驅動高端 mosfet，在 0.75ω下拉阻抗時則能提供 1.75a 以驅動低端 mosfet，從而使該器件非常適用于驅動大柵極電容、大電流 mosfet。ltc4444h/-5 可驅動多個并聯(lián)的 mosfet，以用于較大電流的應用。當驅動 1000pf 負載時，高端 mosfet 的快速 8ns上升時間、5ns 下降時間和低端 mosfet 的 6ns 上升時間、3ns 下降時間可最大限度地降低開關損耗。 ltc4444h/-5 針對兩個與電源無關的輸入進行配置。高端輸入邏輯信號的電平從內部移位至自舉電源，該信號可在比地高 114v 時工作。ltc4444-5 在 4.5v 至 13.5v 的范圍內驅動高端和低端的 mosfet 柵極，而 ltc4444 則在 7.2v 至 13v 的范圍內驅動高端和低端的 mosfet 柵極。
相關元件pdf下載：log101 log104 如圖所示為log101／104的信號和電源的基本連接電路。信號電流i1、i2輸入1腳和8腳，3腳輸出電壓vout=(1v)·log(i1／i2)。為了減小導線電感的影響，正、負電源端必須加去耦電容，采用10μf鉭電容和1000pf瓷介電容并聯(lián)構成去耦電容，其中1000pf瓷介電容主要用于濾除高頻噪聲。
的通斷、計數(shù)器的啟動、停止及完成系統(tǒng)中其它任務。 脈寬調制電路主要由阻容電路、單穩(wěn)態(tài)電路(如74ls/hc123)組成。該電路主要用于調整各驅動脈沖之間的相位關系。74ls(hc)123是可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。在觸發(fā)脈沖的上升沿(接b端)或下降沿(接a端)的作用下，輸出q為高電平，經過延時tw后，輸出q返回低電平；如果輸出高電平期間，觸發(fā)脈沖又到來，則高電平又會從此刻延時tw，因此如果觸發(fā)脈沖在高電平期間不斷到來，則高電平將要被無限期的延遲，即輸出為高電平；當外接電阻為r且電容 c>1000pf時，tw=0.45 * r *c 。 圖1驅動電路原理圖 系統(tǒng)實例 系統(tǒng)組成 本系統(tǒng)用于測量螺旋槳轉動過程中的槳葉的偏振角。由于螺旋槳具有剛性，其轉動過程中不僅存在擺動，而且存在振動，對其偏擺角的測量需要在螺旋槳轉動過程中采集其瞬態(tài)的位置，利用ccd的成像特性，將螺旋槳瞬態(tài)的位置信息通過ccd成像，光信號轉換為電荷信號，經過信號處
如圖所示是采用sg3524構成的輸出電壓為5v，輸出電流為5a的穩(wěn)壓電路。sg3524是該電源的核心，并直接向功率轉換電路的開關功率管提供脈寬調制新號；管腳6和7對地分別接有2kω電阻和0.02μf電容，由此確定其開關頻率；電阻r1，r2提供取樣電壓經管腳1引入比較放大器的反相輸入端；管腳9對地接有串聯(lián)1000pf電容和20kω電阻，以實現(xiàn)頻率補償；管腳11和14直接與外接開關功率管vt1、vt2基極相連，電阻r3，r4經管腳12和13引入作為sg3524輸出管的負載；限流電阻r7經管腳4和5引入過流保護電路，其值決定輸出電流的極限值。市電經電源變壓器和整流濾波電路，得到的未穩(wěn)壓的直流電，從管腳15加入sg3524以及通過高頻變壓器加到vt1、vt2管集電極，則該電源投入正常運行。 來源:bill
萬用表測電容附加電路圖 如圖所示電路為萬用表測電容附加電路圖。該電路中ne555與r1，r2及cl~c6組成脈沖振蕩器，它的輸出脈沖頻率隨著c1~c6的分別接入而不同，其頻率為100khz、10khz、1khz，100hz, 10hz和1hz共分6擋。對應的電容測量范圍為: 100pf、1000pf、0.01μ 、0.1μf、1μf和10μf。萬用表測電容附加電路采用一只單8路模擬開關cd4051作為換擋開關，由于它是通過電路內的晶體管的導通與截止作為開關控制，所以不會產生機械式開關的接觸不良現(xiàn)象。cd4051是一種由二進制數(shù)控制的電子開關，它通過按鈕開關sb1~sb3的不同組合，組成6擋測量轉換。 來源:zhengliping
如圖所示為電容器測量電路，可測量1uf以內的電容量，分為5個量程：100pf、1000pf、0.01uf、0.1uf和1uf.電路中ica的輸出脈沖的下跳變沿經cs、rs微分后去觸發(fā)icb.icb輸出的平均值電壓或電流正比于cx,平均值電流將由電表指示。w1用于調整滿刻度，cx接1uf或0.1uf標準容量電容器，調w1使表頭指示滿度值。w2~w4是調零電阻器，因為7556輸出直流失調電壓對各量程的影響略有不同，故分開調零。 來源:陰雨
電容值倒底該怎么讀阿？ 昨天上網去查了一下說102為1000pf的電容，10后面兩個零，今天去電子城買1000pf的電容，電阻給我的是103，我說拿錯了，他使勁說沒錯，他說是1后面三個零，現(xiàn)在搞混了，10x該怎么讀，是10后面x個零還是1后面x個零呢？
”聲。如果不響，則是線圈斷了，如果響聲小而尖，則是有擦圈問題，也不能用。 2、測電容：用電阻檔，根據(jù)電容容量選擇適當?shù)牧砍蹋⒆⒁鉁y量時對于電解電容黑表筆要接電容正極。①、估測微波法級電容容量的大?。嚎蓱{經驗或參照相同容量的標準電容，根據(jù)指針擺動的最大幅度來判定。所參照的電容不必耐壓值也一樣，只要容量相同即可，例如估測一個100μf/250v的電容可用一個100μf/25v的電容來參照，只要它們指針擺動最大幅度一樣，即可斷定容量一樣。②、估測皮法級電容容量大小：要用r×10kω檔，但只能測到1000pf以上的電容。對1000pf或稍大一點的電容，只要表針稍有擺動，即可認為容量夠了。③、測電容是否漏電：對一千微法以上的電容，可先用r×10ω檔將其快速充電，并初步估測電容容量，然后改到r×1kω檔繼續(xù)測一會兒，這時指針不應回返，而應停在或十分接近∞處，否則就是有漏電現(xiàn)象。對一些幾十微法以下的定時或振蕩電容（比如彩電開關電源的振蕩電容），對其漏電特性要求非常高，只要稍有漏電就不能用，這時可在r×1kω檔充完電后再改用r×10kω檔繼續(xù)測量，同樣表針應停在∞處而不應回返。 3、在路測二極管、三極管、
”聲。如果不響，則是線圈斷了，如果響聲小而尖，則是有擦圈問題，也不能用。 2、測電容：用電阻檔，根據(jù)電容容量選擇適當?shù)牧砍?，并注意測量時對于電解電容黑表筆要接電容正極。①、估測微波法級電容容量的大小：可憑經驗或參照相同容量的標準電容，根據(jù)指針擺動的最大幅度來判定。所參照的電容不必耐壓值也一樣，只要容量相同即可，例如估測一個100μf/250v的電容可用一個100μf/25v的電容來參照，只要它們指針擺動最大幅度一樣，即可斷定容量一樣。②、估測皮法級電容容量大?。阂胷×10kω檔，但只能測到1000pf以上的電容。對1000pf或稍大一點的電容，只要表針稍有擺動，即可認為容量夠了。③、測電容是否漏電：對一千微法以上的電容，可先用r×10ω檔將其快速充電，并初步估測電容容量，然后改到r×1kω檔繼續(xù)測一會兒，這時指針不應回返，而應停在或十分接近∞處，否則就是有漏電現(xiàn)象。對一些幾十微法以下的定時或振蕩電容（比如彩電開關電源的振蕩電容），對其漏電特性要求非常高，只要稍有漏電就不能用，這時可在r×1kω檔充完電后再改用r×10kω檔繼續(xù)測量，同樣表針應停在∞處而不應回返。 3、在路測二極管、三極管
只 129 電阻r15 6.8k,0.25w 只 130 電阻r16 330,0.25w 只 131 電阻r17 330,0.25w 只 132 電阻r18 2.2k,0.25w 只 133 微調電位器rp1 2.2k,0.25w-0.5w 只 134 微調電位器rp2 1m,0.25w-0.5w 只 135 滌綸電解電容器c1 1000pf 只 136 滌綸電解電容器c2 1000pf 只 137 電解電容器c3 470uf/16v 只 138 電解電容器c4 47uf/16v 只 139 電解電容器c5 47uf/16v 只 140 電解電容器c6 22uf/16v 只 141 電解電容器c7 470uf/16v 只 142 電解電容器c8 100uf/16v
“噠”聲。如果不響，則是線圈斷了，如果響聲小而尖，則是有擦圈問題，也不能用。 2、測電容：用電阻檔，根據(jù)電容容量選擇適當?shù)牧砍?，并注意測量時對于電解電容黑表筆要接電容正極。①、估測微波法級電容容量的大?。嚎蓱{經驗或參照相同容量的標準電容，根據(jù)指針擺動的最大幅度來判定。所參照的電容不必耐壓值也一樣，只要容量相同即可，例如估測一個100μf/250v的電容可用一個100μf/25v的電容來參照，只要它們指針擺動最大幅度一樣，即可斷定容量一樣。②、估測皮法級電容容量大?。阂胷×10kω檔，但只能測到1000pf以上的電容。對1000pf或稍大一點的電容，只要表針稍有擺動，即可認為容量夠了。③、測電容是否漏電：對一千微法以上的電容，可先用r×10ω檔將其快速充電，并初步估測電容容量，然后改到r×1kω檔繼續(xù)測一會兒，這時指針不應回返，而應停在或十分接近∞處，否則就是有漏電現(xiàn)象。對一些幾十微法以下的定時或振蕩電容（比如彩電開關電源的振蕩電容），對其漏電特性要求非常高，只要稍有漏電就不能用，這時可在r×1kω檔充完電后再改用r×10kω檔繼續(xù)測量，同樣表針應停在∞處而不應回返。 3、在路測二極管、三極管、穩(wěn)
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