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VG101F

更新時間:2025-06-13 06:02:02

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VG101F 概述

VG101F是Vishay公司生產的一款P溝道功率MOSFET。它采用先進的TrenchFET?技術，具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅動下典型值為17mΩ。該MOSFET適用于負載開關、電源管理以及其他需要高效功率轉換的應用場景。其封裝形式為小型化的TSOP-6，有利于節(jié)省電路板空間并提高功率密度。此外，VG101F的最大漏源電壓(VDS)為-20V，連續(xù)漏極電流(ID)能力在25°C時為-3.6A。它能夠在各種便攜式設備和消費電子產品中可靠運行，如智能手機、平板電腦等的電源管理電路中。注意在使用時要確保不超過最大額定值，并且合理設計散熱以保證器件穩(wěn)定工作。

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