TND960是ONSEMI（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時(shí)典型值僅為20mΩ，這有助于減少導(dǎo)通損耗，提高能效。其最大漏源電壓(VDS)可達(dá)30V，適用于多種電源管理應(yīng)用。 典型應(yīng)用場(chǎng)景包括負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路以及直流-直流轉(zhuǎn)換器等需要高效功率控制的場(chǎng)合。在電池供電設(shè)備中，TND960可以有效延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意保證良好的散熱條件，并且在高頻率開關(guān)應(yīng)用中要充分考慮其開關(guān)速度與驅(qū)動(dòng)能力的匹配性，以避免不必要的損耗和發(fā)熱。對(duì)于需要并聯(lián)使用的場(chǎng)景，應(yīng)確保每個(gè)MOSFET的工作狀態(tài)一致，防止電流分配不均導(dǎo)致個(gè)別元件過熱損壞。