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T1235H-6G

更新時間:2025-07-07 18:33:48

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
T1235H-6G
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只做原裝

深圳市誠研翔科技有限公司
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NR
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-

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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300000
ST(意法半導體)
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-

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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十年配單，只做原裝

深圳市萬佳電子貿易有限公司
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公司現(xiàn)貨只做原裝

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳中和芯電子有限公司
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只做現(xiàn)貨，一站式配單

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深圳市鑫達通電子有限公司
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D2PAK CLIP/2215+
原裝現(xiàn)貨，可提供一站式配套服務

深圳市泰佳興電子有限公司
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大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務

深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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ST/意法半導體
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原裝現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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STMicroelectronics(意法半導體)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市琦凌凱科技有限公司
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中揚電子（深圳）有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市世紀成達電子科技有限公
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只做原裝

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T1235H-6G外觀圖

T1235H-6G

STMicroelectronics 三端雙向可控硅開關

TRIAC 12A 600V HI TEMP D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

T1235H-6G 概述

T1235H-6G是由威世科技（Vishay）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于中等功率應用場合。其最大漏源電壓為60V，在柵極 - 源極電壓為10V時，典型導通電阻僅為2.8mΩ，這有助于降低導通損耗并提高系統(tǒng)效率。此款MOSFET廣泛應用于開關電源、直流 - 直流轉換器、電機驅動以及電池管理電路等領域。在實際應用中，為了確保最佳性能，需注意散熱設計以防止過熱。對于高頻開關應用，建議優(yōu)化柵極驅動電路以減小開關損耗。例如，在設計同步降壓變換器時，可將T1235H-6G作為低壓側開關使用，與合適的高壓側開關配合，實現(xiàn)高效電能轉換。

T1235H-6G 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
T1235H View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
三端雙向可控硅開關
系列
Snubberless™
三端雙向可控硅開關類型
可控硅 - 無緩沖器
電壓 - 斷路
600V
電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))（最大）
12A
電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）
1V
電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm)
120A，126A
電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）
35mA
電流 - 維持(Ih)
35mA
配置
單一
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件

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T1235H-6G推薦型號

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T1235H-6G
T1235H-6G-TR
T123002/032
T123002/37
T123038/08
T123038-08
T1230D
TLP550

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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