寫入操作(編程、擦除操作)電壓：2.7～3.6V；快速寫入操作，扇區(qū)擦除操作時(shí)間：0.4s(典型值)，芯片擦除操作時(shí)間：49s(典型值)，字節(jié)編程操作時(shí)間：5μs(典型值)；讀取時(shí)間：70ns；典型編程/擦除操作周期：100000； 掉電數(shù)據(jù)保持20年； 超低功耗，動(dòng)態(tài)電流(讀出操作)：10mA(典型值)，動(dòng)態(tài)電流(擦除/編程操作時(shí)讀出)：21mA(典型值)，待機(jī)電流：0.2μA(典型值)；靈活性邏輯存儲(chǔ)庫(kù)結(jié)構(gòu)(bank)，包含4個(gè)邏輯存儲(chǔ)庫(kù)，用戶可以根據(jù)需要來(lái)分組邏輯存儲(chǔ)庫(kù)大小，Bank1：4M、Bank2：12M、Bank3：12M、Bank4：4M；安全扇區(qū)大�。�256字節(jié)，這個(gè)安全扇區(qū)是一個(gè)OTP，一旦這個(gè)扇區(qū)被編譯程序后就不能被擦除；同步讀出/寫入操作，當(dāng)在一個(gè)邏輯存儲(chǔ)庫(kù)處理擦除/編程操作時(shí)不需等待而在另一個(gè)邏輯存儲(chǔ)庫(kù)連續(xù)的讀出數(shù)據(jù)；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的字節(jié)寬度和字寬度的引腳描述；WinStack 0.18μm工藝技術(shù)；兼容通用的閃存接口(CFI)規(guī)范，閃存裝置參數(shù)直接存儲(chǔ)在裝置中，允許軟件驅(qū)動(dòng)程序，以識(shí)別和使用一個(gè)多樣的不同于當(dāng)前和未來(lái)的閃存產(chǎn)品； 擦除操作有暫停/恢復(fù)功能，在同一個(gè)邏輯存儲(chǔ)庫(kù)中暫停擦除操作而允許編程操作；監(jiān)測(cè)程序編譯是否完成，軟件方法：Toggle位和Data輪詢；解鎖旁路程序指令，當(dāng)解決多元程序指令序列時(shí)減少總體編程時(shí)間；有準(zhǔn)備/忙接口輸出(RY/＃BY)，監(jiān)測(cè)編程或擦除操作完成狀態(tài)；硬件復(fù)位引腳(＃RESET)，復(fù)位內(nèi)部狀態(tài)到讀出模式；＃WP/ACC輸入引腳，寫保護(hù)(＃WP)方法允許保護(hù)2個(gè)外層的啟動(dòng)扇區(qū)，ACC方法加速編程時(shí)間；扇區(qū)保護(hù)，扇區(qū)可以在系統(tǒng)內(nèi)或通過程序員被鎖住，在系統(tǒng)內(nèi)保護(hù)的扇區(qū)中允許更改臨時(shí)未保護(hù)扇區(qū)的數(shù)據(jù)；啟動(dòng)編碼扇區(qū)結(jié)構(gòu)：底部扇區(qū)；存取速度：70～79ns；溫度范圍：- 20～＋85℃(擴(kuò)展級(jí))