制造商：NXP

產(chǎn)品種類：Transistors Bipolar (BJT)

晶體管極性：NPN/PNP

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：40 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V

直流集電極/Base Gain hfe Min：120 at 1 mA at 6 V

配置：Dual

最大工作頻率：100 MHz

最大工作溫度：+ 150 C

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：SOT-666

封裝：Reel

集電極連續(xù)電流：0.1 A

最小工作溫度：- 65 C

功率耗散：300 mW

工廠包裝數(shù)量：4000

零件號別名：PEMZ1,115

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