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FQB70N10TM_AM002

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標(biāo)準(zhǔn)包裝：800

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：QFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型

漏極至源極電壓(Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：57A

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23 毫歐 @ 28.5A，10V

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