FQB2N80 FQB2N60TM FQB2N60 FQB2N50TM FQB2N50C FQB2N50 FQB2N30TM FQB2N30 FQB28N15TM FQB28N15 FQB2N90
您是否在找:標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss):800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:2.4A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.3 歐姆 @ 900mA,10V
FQB2N80TM歷史價(jià)格
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