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參數(shù)信息：

制造商：Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類：IGBT 模塊

產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules

配置：Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V

集電極—射極飽和電壓：1.4 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：400 A

柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA

功率耗散：1136 W

 更多參數(shù)信息

FMG2G400LS60_Q歷史價格

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