FGP20N60UFDTU FGP190/256X8 FGM75D12SV1 FGM300D06AV3 FGM100D12SV1 FGL9703592041-196 FGL9703435010-017 FGL9702969028-035 FGL9702671013-012 FGL9701769056-025 FGP20N6S2D
您是否在找:標(biāo)準(zhǔn)包裝:400
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:IGBT - 單路
系列:-
IGBT 類型:-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):2.7V @ 15V,7A
電流 - 集電極 (Ic)(最大):28A
功率 - 最大:125W
熱門推薦
相關(guān)信息
-
介紹在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較
...定VFCE電壓,VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。 圖5中的示例僅考慮了CCM PFC電路的傳導(dǎo)損耗,即假定設(shè)計(jì)目標(biāo)在維持最差情況下的傳導(dǎo)損耗小于15W。以FCP11N60 MOSFET為例,該電路被限制在5.8A,而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流輸入電流下工作。它可以傳導(dǎo)超過MOSFET 70% 的功率。 雖然IGBT的傳導(dǎo)損耗較小,但大多數(shù)600V IGBT都是PT (Punch Through,穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負(fù)溫...
相關(guān)搜索
FGP30N6S2FGP30N6S2DFGP40N6S2FGP5N60UFDTUFGP7N60RUFDFGP90N30FGP90N30TUFGPF120N30FGPF120N30TUFGPF30N30FGPF30N30DTUFGPF30N30TDTUFGPF30N30TTUFGPF30N45TTUFGPF45N45TTUFGPF50N30TTUFGPF50N33BTTUFGPF70N30FGPF70N30TDTUFGPF70N30TTU
快速檢索:ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
在采購進(jìn)貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點(diǎn)此反饋
免責(zé)聲明:以上所展示的信息由會(huì)員自行提供,內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。維庫此不承擔(dān)任何責(zé)任。
友情提醒:為規(guī)避購買風(fēng)險(xiǎn),建議您在購買相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。推薦使用“DZSC委托交易服務(wù)”,買賣都安全。