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FDC855N

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FDC855N外觀圖
圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:PowerTrench®

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 特點(diǎn):邏輯電平門

漏極至源極電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:6.1A

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:27 毫歐 @ 6.1A,10V

 更多參數(shù)信息

FDC855N歷史價(jià)格

(最低報(bào)價(jià):¥00.50最高報(bào)價(jià):¥38.00平均報(bào)價(jià):¥5.90)

更多報(bào)價(jià)信息>>FDC855N PDF下載LM358技術(shù)應(yīng)用FDC855N引腳圖
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  • 原廠封裝
  • ROHS環(huán)保
  • 29078
  • 現(xiàn)貨十年以上分銷商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè)

    11-03 17:44

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