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FDB28N30TM

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FDB28N30TM外觀圖
圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

標(biāo)準(zhǔn)包裝:800

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:UniFET™

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型

漏極至源極電壓(Vdss):300V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:28A

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:129 毫歐 @ 14A,10V

 更多參數(shù)信息

FDB28N30TM歷史價(jià)格

(最低報(bào)價(jià):¥1.20最高報(bào)價(jià):¥5.98平均報(bào)價(jià):¥4.33)

更多報(bào)價(jià)信息>>FDB28N30TM PDF下載LM358技術(shù)應(yīng)用FDB28N30TM引腳圖
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