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標(biāo)準(zhǔn)包裝：10
類別：半導(dǎo)體模塊
家庭：FET
系列：POWER MOS 8™
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)：1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：530 毫歐 @ 14A，10V
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