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低功率CMOS工藝：最大寫入電流：3mA（電壓5.5V），最大讀出電流500μA（電壓5.5V），典型標(biāo)準(zhǔn)待機(jī)電流100nA（電壓5.5V）；2線串行接口總線，I2CTM兼容；可級聯(lián)4個(gè)裝置；自定時(shí)擦/寫周期；可用的64字節(jié)頁寫入模式；最大寫入周期：5ms；對所有陣列硬件寫保護(hù)；輸出斜率控制以避免地彈；施密特觸發(fā)器抑制噪聲；ESD靜電保護(hù)＞4000V；1000000次的擦/寫操作；數(shù)據(jù)保留＞200年；溫度范圍：－40～＋85℃；VCC范圍：2.5～5.5V；最大時(shí)鐘頻率：400kHz；引腳鍍層：無鉛-錫
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