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24C16B-E/SN

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其它信息：

單電源操作電壓：4.5～5.5V；低功率CMOS工藝：典型有源電流1mA，典型待機電流10μA（5.5V時）；4個（4×256×8）或8個（8×256×8）256字節(jié)塊組成；2線串行接口總線，I2CTM兼容；施密特觸發(fā)器抑制噪聲；輸出斜率控制以避免接地反彈； 兼容100kHz；自定時擦/寫周期；頁寫入緩沖區(qū)16字節(jié)；典型頁寫入時間周期：2ms；對所有的存儲器硬件寫保護，可以作為一個串行的ROM；ESD保護＞4000V；1000000次的擦/寫操作；數(shù)據(jù)保留＞200年；8引腳或14引腳的SOIC封裝；可用溫度范圍：－40～＋125℃

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