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單電源操作時(shí)電壓下降至1.8V；低功率CMOS工藝：典型動(dòng)態(tài)工作電流：1mA，典型待機(jī)電流：1μA（－40～＋85℃）；1個(gè)128字節(jié)（1×128×8）塊組成；2線串行接口總線，I2CTM兼容；施密特觸發(fā)器抑制噪聲；輸出斜率控制以避免地彈；兼容100kHz；自定時(shí)寫周期（包括自動(dòng)擦除）；頁寫入緩沖區(qū)達(dá)到8個(gè)字節(jié)； 典型頁寫入周期：2ms；對(duì)所有的硬件寫保護(hù)存儲(chǔ)器；可以作為1個(gè)串行的ROM工作；可用的工廠模式編程（QTP）；ESD靜電保護(hù)＞4000V；1000000次的擦/寫操作；數(shù)據(jù)保留＞200年；標(biāo)準(zhǔn)和無鉛的覆蓋；可用溫度范圍：－40～＋85℃；VCC范圍：1.8~5.5V；最大時(shí)鐘頻率：400kHz
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