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STH9N80

更新時間:2025-05-17 09:57:33

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STH9N80 概述

STH9N80是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏極-源極電壓（Vds）可達800V，適合在高電壓電路中使用。典型應用場景包括開關電源、照明控制、電機驅動等需要高效能功率管理的領域。在設計時應注意合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關速度并減少EMI干擾。對于電機驅動應用，建議添加適當?shù)木彌_電路來保護MOSFET免受感性負載反向電動勢沖擊的影響。這款MOSFET能夠幫助工程師設計出更緊湊且高效的電源轉換系統(tǒng)。

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