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STV160NF02LAT4

更新時間:2025-06-12 07:59:21

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STV160NF02LAT4外觀圖

STV160NF02LAT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

封裝:PowerSO-10 裸露底部焊盤

STV160NF02LAT4 概述

STV160NF02LAT4是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用SMD封裝，具有低導通電阻特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓（Vds）為25V，適合于低壓電路設計中。這款MOSFET在開關電源、電機驅動和電池管理等需要快速開關與低損耗的場合表現(xiàn)出色。它能夠在緊湊的空間內提供高電流承載能力，同時保持較低的工作溫度，有助于提升系統(tǒng)整體效率并減少散熱需求。由于其優(yōu)化的開關特性，特別適合用于同步整流電路以及DC-DC轉換器的設計中。在實際應用時，需注意正確的柵極驅動設計以確保最佳性能，并避免過壓或過流損壞器件。

STV160NF02LAT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
600
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
160A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.7毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
175nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5500pF @ 15V
功率 - 最大
210W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerSO-10 裸露底部焊盤
供應商設備封裝
PowerSO-10
包裝
帶卷 (TR)

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