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STU60N3LH5

更新時間:2025-06-15 08:37:42

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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STU60N3LH5外觀圖

STU60N3LH5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 48A IPAK

封裝:TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

STU60N3LH5 概述

STU60N3LH5是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的SuperMESH技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性，適用于高頻開關(guān)電源、同步整流以及電機驅(qū)動等高效能應(yīng)用場合。其最大漏極電流可達60A，耐壓值為30V，在提供強大電流處理能力的同時保持較低的功耗。由于具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能，它能在緊湊的設(shè)計中實現(xiàn)更高的效率并減少散熱需求。在實際應(yīng)用中，建議根據(jù)電路的具體要求選擇合適的柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度與EMI性能，并確保良好的PCB布局以提高熱傳導(dǎo)效率。

STU60N3LH5 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STU60N3LH5 View All Specifications
標準包裝
75
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
48A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.4 毫歐 @ 24A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.8nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1620pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
I-Pak
包裝
管件
其它名稱
497-12697-5STU60N3LH5-ND

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